薄膜化相关论文
用一种廉价的涂敷法,在NiO-YSZ阳极支撑体上制得了均匀、基本致密、无裂纹缺陷的氧化钇稳定的氧化锆(YSZ)电解质薄膜,其厚度为大约......
借助TEM和HVEM观察了碳膜上Ag-Sn薄膜在加热到640℃的过程中的结构变化。升温到200—250℃时,Ag和Sn迅速反应变为γ相Ag_3Sn。γ相......
材料按其性能特征分为结构材料和功能材料两大类,其中前者趋向减少,后者日渐增加且增加速度相当快。这与尖端技术的飞速发展和材......
研究开发是加快科学技术进步的动力。为了在二十一世纪使科学技术能有较大幅度的发展和富有成效的突破,许多国家都根据各自的条件......
功能材料从大的方面分类可分为有机功能材料;无机功能材料;金属功能材料。这三大类材料的开发均基于下述两种途径:通过材料形态的......
用射频磁控反应溅射法在Si基片上沉积SnO_2超微粒薄膜,溅射过程中适量掺Pd,用IC技术制成气敏元件.实验结果表明:该元件在90℃左右......
制备包含α-Fe2O3与SnO2的双层气敏薄膜，研究发现：Ar＋刻蚀可同时除去薄膜表面的物理吸附氧和化学吸附氧，剩下晶格氧，因而O1s的XPS谱图变......
叙述了钛酸铅系薄膜的热释电原理，介绍了国际上近几年钛酸铅系薄膜材料、制备工艺及热释电性能，并与块状陶瓷材料进行了比较，分析表明......
1 前言对于 MOS 晶体管的栅氧化膜来说,按照高集成化、高性能化的比例要求,在采用0.35μm 工艺技术的64MDRAM 中,要求薄膜减薄到1......
日本日立公司开发了一种不采用光而可进行纳米级超微细加工新技术。该新技术是:利用称谓自保共聚物(Block Copolymer)的纳米材料......
如同半导体工业所见到的那样,电子学器件的小型化、薄膜化对材料提出了更高的要求,其性能不仅受到材料的内部结晶缺陷和杂质等的......
发明的详细说明: 本发明是关于获得极其均匀底层的硅钢片的退火隔离剂。硅钢片采用各种耐热材料作退火隔离剂,一般广泛采用的是Mg......
综述了固体氧化物燃料电池 (SOFC)中固体电解质的研究概况 ,分析了ZrO2 基、CeO2 基、Bi2 O3 基固体电解质和掺杂的LaGaO3 为代表......
半导体器件从诞生以来,就以其体积小、重量轻、性能好等优点,逐渐取代电子管而促进了电子工业的发展。随着半导体材料和器件制作......
本文系统研究了光转换发光材料在薄膜化及其在远程激发半导体光源中的应用，重点研究了光转换发光材料的成膜工艺及成型材料的选......
日立制作所研制成功一种利用光和热能,使材料的颜色能够反复发生双色变化的金属材料“光记录合金”。这种合金是由两种元素(银、......
1.前言松下电子器件公司开发的高速热响应铂膜温度传感器是利用薄膜化铂的温度特性制成的电阻变化型精密温度传感器。由于在设计......
为一个香槟酒制造者主办全球巡展活动而设计的大帐蓬。我们试图尽可能地远离那些形状不变的固定状态建筑的形象,我们寻觅到一种内......
经过多方努力,终于确定了对电子科技大学李言荣院士的采访安排,笔者如约来到电子科技大学沙河校区微电子与固体电子学院大楼。这是......
对人造金刚石合成中常用的 Ni_(70)Mn_5Co_5合金的熔体及其合成片相变进行了研究。观测结果表明,熔体组织为铸态呈多相结构;基体是......
本文考察了聚富马酸二烷基酯的水面展开成膜条件和积层膜的各种因素,制备出氧透过速度为3×10~(-5)cm~3(STP)/cm~2·s·cmHg,氧/氮......
用射频溅射技术制备了ＺｒＯ２ 薄膜，用慢正电子束分析该薄膜，发现它的表层存在一高正电子吸收区，它与钇的表面富集有关，提出了相应的模型。
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利用脉冲激光沉积（ＰＬＤ）技术在ＭｇＯ、ＬＳＣＯ／ＭｇＯ衬底上在位制备了铌酸锶钡（ＳＢＮ）铁电薄膜，发现ＳＢＮ薄膜在ＭｇＯ、ＬＳＣＯ／ＭｇＯ衬底上均呈（００１）择优取向。用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和原子力显微镜（ＡＦＭ）表......
采用射频溅射方法制备用作电致变色器件的ＬｉＮｂＯ３薄膜，利用频率外推法和Ｗａｎｇｎｅｒ极化法对所沉积的ＬｉＮｂＯ３离子导体薄膜的离子电导率进行了测试和计算，给出了......
在ＢＴ／Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ 衬底上用溶胶－ 凝胶法制备了ＫＴａ０．５５Ｎｂ０．４５Ｏ３（ＫＴＮ） 薄膜．０ ．５ μｍ ＫＴＮ－ ０．０８ μｍ ＢＴ 薄膜在２５ ℃，１ ．０ ｋＨｚ 时，其εｒ＝ １ １１４，ｔａｎδ＝２ ．５ ％ ；１２ ℃时，其Ｐｒ＝ ２．１ μＣ／ｃｍ２ ，Ｐｓ＝４ ．２ μＣ／ｃｍ２， Ｅｃ＝ ５．８ ｋＶ／ｃｍ ．０ ．５ μｍ厚ＫＴＮ膜的Ｃｕｒｉｅ 温度为３５ ℃；２５ ℃，１ ．０ ｋＨｚ 时，ＫＴＮ 膜......
采用激光脉冲法成功地测量了Si基底上多孔SiO2 薄膜的纵向热导率 .致密SiO2 薄膜的热导率测试数据与已有多篇文献报导值一致 .对多......
本文研究了采用直流磁控溅射法制备的Fe-Zr-B非晶薄膜,用X-射线衍射,透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了薄膜的结构......
《レア·アス》(稀土)一书由东京大学名誉教授三岛良绩主编,并由东京理科大学、大阪大学、标准电子技术综合研究所、新金属协会、......
从理论计算和实验验证两方面进行了氧缺位金红石型TiO2-x薄膜的电子结构和血液相容性关系的研究.基于局域密度泛函理论,采用第一性......
综述了NdFeB薄膜的国内外研究进展;介绍并分析NdFeB永磁薄膜的制备方法及溅射功率,溅射气压及靶基距对NdFeB薄膜的影响;概括总结Nd......
本文用真空镀锡膜、氧化和化学浸渍技术研制了稀土氧化物的Ｓｎｏ＿２膜气敏元件，并测试了薄膜的气敏特性。掺杂元件改善了对乙醇、丙酮蒸气的......
本文用常压化学气相淀积法（ＡＰＣＶＤ）制备了α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜，对所制备的薄膜进行了Ｘ射线衍射分析和表面形貌（ＳＥＭ）分析。对薄膜的气敏特性进行了测量。结果表明......
用射频／直流磁控溅射法制备了ＣｅＯ２／Ｎｂ２Ｏ５双层氧敏薄膜，利用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），描述并解释了单层ＣｅＯ２薄膜中氧随温度变化的动力学行为，以及ＣｅＯ２／Ｎｂ２Ｏ５薄膜界面对氧敏......
超小型电路的分类 关于超小型电路组成技术已经发表了很多文章,并且制成了产品,特别是在美国,由于军事上及宇宙上的需要,超小型电......
日本NEC公司已采用氧化担薄膜的电容单元制成在1GbDRAM用的电容绝缘膜，其绝缘性能比硅氧化膜高好几倍，而目标是使用于1GbDRAM的氧化......
采用真空镀锡膜、锡膜氧化，浸泡掺杂的方法研制了掺ＭｇＯ的ＳｎＯ＿２薄膜气敏元件，在对乙醇、丙酮等八种气体的测试结果表明：ＭｇＯ－ＳｎＯ＿２元件提高了对乙醇的灵敏......
本文叙述声表面波器件用的薄膜材料、薄膜多层结构中的声表面波传输特性计算以及薄膜声表面波视中频滤波器。由于溅射电极结构的改......
本文叙述了采用单源和双源真空蒸发法制备CuInSe_2薄膜。研究了CuInSe_2膜的结构和电学性质与基板温度的关系。给出了各种气氛处理......
一、前言 热释电型红外传感器是一种利用自发极化(P_s)大小随温度变化的器件,是将红外线一次性地转换成热能,再测定其强度的器件......
1. 前言热电型红外传感器因其灵敏度与波长无关,并具有在室温下可工作的特性,广泛应用于自动装置,环境监视,温度控制,防灾防盗等......
