紫外光刻胶相关论文
随着集成电路制程向着3 nm乃至1 nm推进,光刻胶作为集成电路制造中最为繁杂的光刻工艺所需的重要耗材,愈发显示其重要性及挑战性。......
通过两种路线,制备了一种新的聚合物树脂材料聚N-(p-羟基苯基)马来酰亚胺共N-苯基甲基丙烯酰胺(poly-HPMI-co-PMA)。结果表明:该聚......
光刻胶是集成电路和半导体分立器件微细加T技术中的关键性材料,传统的光刻胶主体材料采用分子量5000~15000道尔顿的聚合物树脂,这......
在国家发改委、国家工信部、国家科技部、北京市发改委、北京市工业与信息化委和北京市科委等相关部门的大力支持下,由北京科华微......
本文讨论几种光学系统的优缺点,这些系统均有潜力应付光学光刻技术所面临的挑战。
This article discusses the advantages and d......
通过线聚焦将自滤波振荡行波放大后的铜激光在BBO晶体中信频,当基频光功率为5.4W时,倍频效率达14.4%。用钢激光倍频光进行接触式光刻,刻线分辨率优......
通过对含巯基的低倍多聚硅氧烷化合物(POSS-SH)巯基端基嫁接低表面能的氟化官能团,将硫-烯点击化学和POSS氟化物(POSS-F-SH)的优势......
通过两种路线,制备了一种新的聚合物树脂材料聚N-(p-羟基苯基)马来酰亚胺共N-苯基甲基丙烯酰胺(poly-HPMI-co-PMA)。结果表明该聚......
<正>我们设计并开发了一种基于硫醇点击化学的新型紫外光刻胶,并成功将其应用于纳米压印中。该紫外光刻胶主要成分包括含巯基的低......