相变薄膜相关论文
相变存储器（PCM）因其低功耗、存储速度高、寿命长、低成本、非易失性等优点,将成为未来存储器的主流产品,然而直接决定PCM性能的是其......
近年来,美国对中国的贸易战日益激烈,我国的芯片产业受到了极大影响,拥有自主知识产权的一系列芯片设计显得尤为重要。对比当下的......
采用共溅射Ge2Sb2Te5合金靶和si靶的方法制备了掺杂Si的Ge2Sb2Te5薄膜。掺杂Si提高了Ge2Sb2Te5薄膜的晶化温度和从面心立方晶相向......
利用飞秒激光的抽运-探测技术,研究了单脉冲飞秒激光作用下GeSb2Te4相变薄膜的非晶化过程,测量了相变薄膜的时间分辨光学显微图.所......
通过高分辨透射电镜分析,深入研究了TeSeIn相变记录薄膜的可逆光存贮机理,提出了对应TeSeIn记录薄膜写入和擦除过程中光致记录畴变......
利用蓝绿激光对非晶态Ge2Sb2R5相变薄膜进行擦除性能的研究,分别用1000ns,500ns,100ns,60 ns脉宽的蓝绿激光进行实验.结果表明,一......
目的通过掺杂不同含量的Sn,提升SixSb100-x相变薄膜的结晶温度、热稳定性和相转变速度,得到一种环境友好型无Te相变薄膜材料。方法......
随着5G时代的到来,电子器件在生活中的比重变得越来越大,并趋于小型化、集成化和智能化。所以,电子器件的热管理对其实际应用提出......
采用共溅射Ge2Sb2Te5合金靶和si靶的方法制备了掺杂Si的Ge2Sb2Te5薄膜。掺杂Si提高了Ge2Sb2Te5薄膜的晶化温度和从面心立方晶相向......
计算机技术的突飞猛进促进了信息存储方式的变革,光存储技术(相变光存储)应运而生,人们用各种实验方法和理论计算对其进行了大量研......
学位
按照实际需要来调控材料的光学性质具有非常重要的科学研究和实际应用价值。光学常数是表征材料光学性质的一个十分重要的基础物理......
衍射光学元件(DOEs)和微机电系统(MEMS)在光子学，电子学，信息科学和生物传感方面有着广泛的应用，并且在近几年成为了研究热点。作为DO......
相变存储器(PCRAM，phase change random access memory)是一种以硫属化合物为存储介质的随机存储器，利用电脉冲使材料在晶态与非晶态......
Ge2Sb2Te5(GST)薄膜作为目前两种主要的相变存储介质之一,其性能的改进十分重要,掺杂是提高相变材料性能的重要手段之一.本工作运......
会议
自从Ovshinsky发现硫系化合物的外场诱导可逆相变特性以来，相变存储材料的研究就受到了极大的关注。其中最具代表性的两种相变存储......
相变随机存储器(PRAM)具有不挥发、高速度、小尺寸的优点，近年来发展迅猛，被认为是最有可能替代闪存的下一类新型存储器。PRAM通过Ge......
光信息存储信息技术与随着社会的发展其重要性越来越高，随着信息流动的增加，相变光存储的重要地位愈发显现出来，因为其信息读写速度快......
随着信息存储技术的迅速发展，人们希望进一步提高信息的存储密度和存储速度。所以，世界各地的研究者们在不断开发新的存储技术来满足......
采用射频磁控溅射工艺,在K9玻璃基片上用Ag-In-SbTe合金靶制备了 Ag8In14Sb55Te23相变薄膜,将沉积态薄膜在300 ℃进行了热处理测量......
研究了单层Ge-Sb-Te-O射频溅射薄膜在400nm～800nm区域的光学常数(N,K)和反射、透射光谱,发现适当的氧掺杂能增加退火前后反射率对比......
用反射率对比度来衡量晶化程度,分别探讨了脉宽为500ns,100ns,60ns的蓝绿激光(514nm)作用下沉积态Ag11In12Sb51Te26相变薄膜的晶化......
利用直流磁控溅射法制备了一种新型AgInSbTe相变薄膜.示差扫描量热(DSC)实验测定的结晶峰温度为193.92℃.X射线衍射(XRD)表明未经......
采用射频溅射法制备了Ag8In14Sb55Te23相变薄膜,对沉积态薄膜在300 ℃时进行了热处理,测量了不同厚度薄膜的反射、吸收谱及光学常......
期刊
采用磁控溅射工艺制备了V2O5薄膜.通过改变制备工艺中基片温度和氧分压两个条件,研究了薄膜的晶相组成、表观形貌以及氧化物中钒和......
研究了单层Ge-Sb-Te-O射频溅射薄膜在400nm-800nm区域的光学常数（N，K）和反射，透射光谱，发现适当的氧掺杂能增加退火前后反射率对比度，因......
期刊
利用磁控溅射法制备了一种新型AgInSbTe相变薄膜.分析了溅射气压和溅射功率对非晶态和晶态相变薄膜反射率的影响,结果表明不同溅射......
采用传输矩阵模型研究了基于低维相变薄膜的显示器件的光学特性与器件结构的关系。显示器件的类型有反射型和透射型,器件结构的关......
采用无机溶胶－凝胶法制备ＶＯ２相变薄膜，该薄膜相变时的电阻（率）突变可达４￣５个数量级。并用ＸＲＤ、ＤＳＣ和ＴＧＡ法了制膜过程中干凝胶膜的层状非晶纳米结构，通过......
利用椭偏仪和光谱仪研究了结晶程度对Ge2Sb2Te5相变薄膜光学常数的影响。当初始化仪转速固定时，随激光功率的增加，折射率基本随之减......
以V2O5和MoO3粉为原料, 采用无机溶胶-凝胶法制备了掺Mo6+的VO2相变薄膜.对掺杂薄膜的物相组成、价态、相结构的XPS和XRD分析及电......
利用蓝绿激光对非晶态Ge2Sb2R5相变薄膜进行擦除性能的研究,分别用1000ns,500ns,100ns,60 ns脉宽的蓝绿激光进行实验.结果表明,一......
本文根据新型式的VO_2相变薄膜制备工艺,以及相关温度曲线图,对VO_2相变薄膜的制备方式进行总结,并从VO_2与石墨烯复合材料的组合......
以V2O5和Zr（NO3）4．5H2O为原料，采用无机溶胶-凝胶法制备了掺Zr^4＋的VOx（2≤X≤2．5）相变薄膜。通过对掺杂薄膜的物相组成、价态、相结构的XP......
目的通过掺杂不同量的ZnO提升ZnSb相变薄膜的晶化温度和晶态膜电阻。方法采用磁控溅射双靶共溅方式制备不同含量ZnO掺杂的ZnSb薄膜......
去年12月的国际电子器件会议上有两个报告表明，使相变存储器成为实际产品取得了缓慢的进展。一个报告来自日立和瑞萨公司，即保持相变......
用磁控溅射法制备了Ge-Sb-Te和Ge-Sb-Te-O相变材料薄膜,由热处理前后薄膜的X射线衍射(XRD)发现,热处理使薄膜发生了从非晶态到晶态......
将700、800、1100℃三种温度下的V2O5熔体制得V2O5溶胶,在非晶玻璃基片上将V2O5溶胶制成V2O5凝胶薄膜试样.通过对V2O5凝胶薄膜试样......
当前,互联网、多媒体视频、高速计算机等技术的迅猛发展,使人们对更快速度、更大容量数据存储器的需求越来越迫切,然而传统的磁存......
