【摘 要】
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随着低维半导体材料尺寸的减小,表面/体积比急剧增大,表面和界面对半导体材料性能的影响显著增加。本文根据近电子自由理论以及熔化温度的尺寸效应模型,建立了低维半导体能隙
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随着低维半导体材料尺寸的减小,表面/体积比急剧增大,表面和界面对半导体材料性能的影响显著增加。本文根据近电子自由理论以及熔化温度的尺寸效应模型,建立了低维半导体能隙的尺寸效应模型。该模型形式简单且无任何可调参数,能预测不同物质、不同维数的低维半导体能隙随尺寸的变化趋势。在此基础上,系统讨论了低维半导体单质以及化合物的尺寸和界面效应、低维半导体固溶体介电常数的尺寸和成分效应以及体等离子能的尺寸效应。此外,根据经典热力学和弹性理论,分别研究了半导体非晶薄膜厚度对晶化动力学的影响,以及半导体外延生长薄膜应变层的临界厚度。以上模型的预测结果与相应的实验以及理论预测结果符合的很好。
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