【摘 要】
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利用直流磁控溅射法制备了一种新型AgInSbTe相变薄膜.示差扫描量热(DSC)实验测定的结晶峰温度为193.92℃.X射线衍射(XRD)表明未经热处理的沉积态薄膜是非晶态,而经过200℃热
【机 构】
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中国科学院上海光学精密机械研究所,成都先锋材料有限公司
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利用直流磁控溅射法制备了一种新型AgInSbTe相变薄膜.示差扫描量热(DSC)实验测定的结晶峰温度为193.92℃.X射线衍射(XRD)表明未经热处理的沉积态薄膜是非晶态,而经过200℃热处理,X射线衍射图出现衍射峰,薄膜从非晶态转变到晶态.同时,研究了晶态和非晶态相变薄膜的吸收率、透射率和反射率随波长的变化.测定了650 nm激光作用下的相变薄膜的记录性能,分析了记录功率、记录脉宽对薄膜反射率衬比度的影响,在同一记录脉宽条件下,记录功率越大,反射率衬比度也越大;在同一记录功率条件下,随记录脉宽的增加,反射率衬比度也增大.结果表明,新型AgInSbTe相变薄膜在激光作用下具有较高的反射率衬比度,可获得良好的记录性能.
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