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利用磁控溅射法制备了一种新型AgInSbTe相变薄膜.分析了溅射气压和溅射功率对非晶态和晶态相变薄膜反射率的影响,结果表明不同溅射气压、功率下制备的相变薄膜的反射率具有明显差异,阐述了引起相变薄膜反射率变化的原因,并研究了蓝光(405nm)波长处相变薄膜反射率随溅射气压和溅射功率的变化规律.
工艺参数对新型AgInSbTe相变薄膜反射率的影响
【摘 要】
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利用磁控溅射法制备了一种新型AgInSbTe相变薄膜.分析了溅射气压和溅射功率对非晶态和晶态相变薄膜反射率的影响,结果表明不同溅射气压、功率下制备的相变薄膜的反射率具有明
【机 构】
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中国科学院上海光学精密机械研究所,成都先锋材料有限公司
【出 处】
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激光与红外
【发表日期】
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2004年5期
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