氮化铝陶瓷相关论文
针对弹箭燃气舵轻量化问题,设计了基于高热导率氮化铝陶瓷材料的新型燃气舵。为考察其可行性,建立了基于流固热耦合的非定常数值模拟......
文章主要从材料选择、工程设计、氮化铝陶瓷放置、压合方法及电镀等几个方面进行介绍,通过优化相关资料和工艺方法,来解决嵌埋陶瓷PC......
氮化铝陶瓷因其良好的导热性、与硅接近的热膨胀系数和优异的机械强度等优点,作为高集成度和高功率器件封装最理想的载板材料而广受......
AlN陶瓷的热导率受声子-声子之间的相互作用,即声子散射的影响,各种结构缺陷的存在使声子平均自由程减小,导致热导率降低。本文讨......
利用熔盐反应法,成功地在AIN陶瓷表面制备了Ti金属化薄膜.研究了金属化处理时间、温度和反应物(氟钛酸钾)初始浓度对薄膜显微结构......
研究了超细YO粉体AIN陶瓷致密化、热导率以及微结构的影响,讨论了产生这些影响的原因.研究发现,在较低的烧结温度下,超细YO有利于......
本文以比表面积为4.26m2/g、氧含量为0.98%和比表面积为17.4m2/g、氧含量为1.69%的两种AlN粉末为原料制备A1N陶瓷,研究了显微结构、相......
受工艺条件限制,要求AIN与Cu的接头连接温度不得高于250˙C,本文成功地应用射频溅射TI膜对AIN陶瓷进行表面改性,然后再将其与Cu用S......
讨论了AlN陶瓷金属化浆料的制备,在氢气氛中,可实现无氧铜与AlN的复合,从室温到500℃的变化下无剥离现象。......
对热压法与直接敷铜(direct bonded copper,DBC)法制备的2种不同界面状态的AlN/Cu基板进行了物相、形貌和成分及结合力(剥离强度)......
本文综述了近年来国内外在氯化铝的粉体合成及其表面处理的最新进展。
This review summarizes the recent progress in powder s......
位于美国加州的功率半导体和集成电路的供应商IXYS公司日前宣布一项新型的铝基基片技术。该项技术也称为直接铝材连接(direct alu......
位于美国加州的功率半导体和集成电路的供应商IXYS公司近日宣布一项新型的铝基基片技术。该项技术也称为直接铝材连接(direct alum......
以直接氮化法制备的AlN粉体为原材料,添加质量分数为5%的Y2O3做烧结助剂,采用热压烧结工艺制备AlN陶瓷。研究烧结温度和压力对AlN......
氮化铝陶瓷材料的开发和应用氯化铝(AIN)是近年来发展起来的新型陶瓷材料,它具有高的绝缘性和导热性,耐高温,抗腐蚀,热膨胀系数低以及很高的......
利用TE103单模腔微波烧结系统对SHS制备的AlN粉(添加3%(mas)Y2O3)的加热烧结特征,烧结样品的显微结构进行了研究。通过适当的保温措施和烧结工艺实现了AlN陶瓷的......
利用磁约束直流等离子体炬设备和Ar+H2+CH4混合气体,在喷出的电弧侧面的无水冷的AlN(氮化铝陶瓷)衬底上,成功的制备出金刚石薄膜。使用扫描电子显微......
目的探索研究一种新型反相烧结薄层板,有效克服电色谱展开中焦耳热对分离的影响,为中药材有效成分的分离鉴定提供一种快速分析的方......
研制更复杂的集成电路(IC),如芯片尺寸较大、产生较大功率的IC、发射极耦合逻辑电路(ECL)、甚大规模集成电路(VLSI)和激光二极管......
氮化铝陶瓷材料具有热导率高、热膨胀系数与硅以及砷化镓等半导体材料相匹配、各种电性能优良、机械性能好并且无毒等优点,是解......
原位燃烧合成能够制备分散性良好的复相陶瓷,对于提高复相陶瓷的性能有着重要的意义,该文主要研究了Al-Zr-N系复相陶瓷的燃烧合成反应。由于......
氮化铝具有高导热率、无毒及较高的体积电阻率、绝缘强度、机械强度等特点,因而在电子材料、结构材料等领域显示出强大的应用潜力,该......
氮化铝粉粒受冲击波作用后,其颗粒尺寸和外观形态变化很小,但其内部产生了大量缺陷。点缺陷浓度增加几个数量级,在烧结初期有重要贡献......
采用热压法成功地制备了大件氮化铝陶瓷薄片,比较了氮化铝粉末与氮化铝陶瓷导热系数的关系,探讨了热处理工艺提高氮化铝陶瓷导热系数......
针对以“新基建”为代表的通信领域对高功率、高性能电子元器件的需求,阐述了氮化铝陶瓷基板的优点和工艺复杂性;针对性开发高温烧......
氮化铝具有良好的导热性能、高体积电阻率、低介电常数、与硅接近的热膨胀系数、无毒、耐高温和腐蚀、良好的力学性能等特点,是一种......
氮化铝(AlN)陶瓷具有优异的导热性能,良好的电性能和机械强度,是一种理想的电子封装材料,受到了越来越多的关注。流延成型工艺是制备......
AlN陶瓷具有热导率高、介电常数低、电阻率高和与硅相匹配的热膨胀系数、无毒等特点,目前被认为是最具发展前景的陶瓷封装材料之一......
AlN陶瓷作为新一代功能陶瓷材料的代表,有着其他陶瓷材料无法比拟的优良特性:热导率高、介电常数低、电绝缘性高、无毒、热膨胀系数......
氮化铝(AlN)陶瓷具有优异的综合性能,具有高热导率、高绝缘性、低介电常数和介电损耗,是大规模集成电路、半导体模块和大功率器件的......
随着微电子技术的不断发展,电力电子系统高集成度导致功率密度的提高,器件工作时产生的热量增加,Al2O3等传统的陶瓷基板已经难以满足......
以微电子技术和信息技术为代表的高新技术迅速发展,以及集成电路向超大规模发展,对IC芯片基板材料的性能要求越来越高,除了满足集成电......
本文通过对AlN粉体的表面改性,大大地提高了AlN粉体的抑制水解能力,成功实现了AlN生带的水基流延成型制备,结合放电等离子烧结(SPS)......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
以碳热还原法生产的AlN粉体为原料,用国产六面顶压机,在5.0GPa,1 300~1 800℃,在无烧结助剂的情况下,高压烧结制备了AlN陶瓷.用X射......
本研究成功地进行了Al粉在N2中的自蔓延高温合成。讨论了稀释剂添加量,氮气压力、试样孔隙率对合成的影响,发现Al熔化是影响自蔓延高温合成......
本论文以氮化铝陶瓷的制备为研究对象,围绕其在烧结过程中的氧化进行了研究,分析了氮化铝陶瓷在烧结过程中氧化的机理,提出了防止A......
高热导率氮化铝陶瓷的制备和研究李振荣(山东建材学院)1引言自Borom提出AlN是良好的声子热导体后,人们对AlN的研究产生了浓厚的兴趣。AlN陶瓷具有热导......
本文研究以Y2O3为烧结助剂的无压烧结A1N陶瓷中,晶界第二相和气孔等晶界缺陷对热导率的影响。结果表明,A1N陶瓷晶界第二相的组成主要取决于配料......
用透射电镜观察了不同热导率的AlN陶瓷中存在晶格缺陷,这类缺争主要以位错或线形式呈现,分布不均匀,大多集中大晶界处,一些晶粒中存在反相......