掺杂工艺相关论文
Ga_2O_3作为第三代宽禁带半导体,其具有较好的化学稳定性和热稳定性,在日盲紫外探测器、透明导电薄膜等方面表现出良好的发展前景......
石英玻璃是二氧化硅单一成份的玻璃,具有许多优良的性能,但在有些场合,需要对一些性能进行改进,于是就产生了掺杂工艺.掺杂石英是......
作为新一代清洁环保能源电能的存储载体,锂离子电池因其潜在的应用价值而备受瞩目,许多科学家已将其看作解决全球能源危机的重要手......
本试验采用溶胶-凝胶法制备了铁离子掺杂氧化钛溶胶,分别在石英基板和印有电极的陶瓷基板上镀膜,在不同温度和不同气氛下烧结制得......
近年来,随着现代科技的飞速发展,工业化进程随之加快。人们的物质生活水平在逐步提高的同时,环境也在日益恶化,因此迫切需要人们对......
稀土离子掺杂氟氧化物玻璃陶瓷同时具有氧化物玻璃和氟化物晶体的优点,是一种优良的新型功能材料,也是玻璃闪烁体材料的重要研究方......
在各类研究的半导体光催化材料中,TiO_2因其成本低、高稳定性以及环境友好等优点受到广泛关注。但是催化剂自身的宽带隙(Eg=3.2eV)......
中间相炭微球(Mesocarbon Microbeads,MCMBs)是一种制备高强高密炭石墨材料的优秀先驱体,具有良好的自粘结性和自烧结性,因此,将MC......
Heusler合金中蕴含着丰富的物理现象,一直是人们研究开发功能材料的热点领域。具有Heusler结构的结构相变材料以其独特的功能特性......
学位
金属氧化物气敏传感器作为一种典型的半导体气敏传感器，因其具有高敏感、快速响应、成本低和检测方便等优点，在目前气敏传感器的研究......
软磁铁氧体材料是一种非常重要的基础功能材料,因为其不但具有高的磁导率、高的饱和磁化强度和低矫顽力,而且还具有低损耗、高的电......
近年来由于环境污染问题的日益加重，怎样友好的治理环境污染也成为现今科学研究领域的热点，所以人们对新型高效光催化剂的制备研究也......
Ni(OH)2被用作MH-Ni电池、Cd-Ni电池、Zn-Ni电池和H2-Ni电池的正极活性物质，对其性能改进是化学电源研究中的一个重要课题。本文用......
有机电致发光显示器件(OLED)在上世纪末成为了平板显示领域一颗耀眼的明星。就平板显示器而言，全彩色化水平是检验其是否在市场上具......
尖晶石LiMn_2O_4具有电压高、安全性好、价格便宜、污染小等优点,被认为最有希望的正极材料之一。但尖晶石LiMn_2O_4在高温下容量......
尖晶石型Li4Ti5O12是一种“零应变”电极材料,具有安全性能高、循环性能优越、充放电平台稳定、成本低廉、环境友好等诸多优点,被......
本征ZnO是一种高阻半导体，掺杂Al后的ZAO(ZnO：Al)电阻率大大降低。ZnO及其ZAO薄膜是光学透明薄膜，具有优异的光电特性，在太阳能电池、......
Ca3Co4O9材料是目前发现的具有较好热电性能的热电氧化物之一，为了进一步提高材料的热电性能，人们对其进行了大量制备工艺及掺杂的研......
通过两种固液掺杂工艺制备Mo-0.2%(质量分数,下同)La_(2)O_(3)粉末,经过1400~1700℃不同温度中频烧结,采用封蜡排水法测定坯条密度......
1引言当今世界，人们对扬声器的高保真、大功率提出了越来越高的要求，音盆是扬声器的主要零件，它的好坏将直接影响扬声器的各项性能，用......
聚氯乙烯(PVC)凝胶是一种典型的电活性凝胶材料,与其他同类刺激响应材料相比,PVC凝胶可以在无水环境下工作,驱动电压中等且应变高......
用慢正电子束探针测量了经剂量为5×1016cm-2的140keVHe+注入的Si(100)单晶S参数与正电子入射能量的关系,得到了注入产生缺陷......
对金刚石n型掺杂工艺中的施主元素的类型、机理、及所使用的基底材料和方法进行了综合评述,并对I族元素(Li,Na),V族元素(N,P),Ⅵ族......
采用正交实验法研究盐酸（HCl）掺杂工艺对导电聚苯胺电导率的影响。结果表明：HCl浓度、聚苯胺与HCl物质的量比、掺杂温度和时间对聚苯......
简要介绍了掺杂钨丝的多牌号的原理、分类方法、基本技术要求及在我国的应用....
早在20世纪40年代，研究人员就发现了钛酸钡优越的压电特性和其优良的介电性能，于是人们将这种性能优异的强介电和铁电材料广泛应用于......
介绍基于RC^[1]网络集成电路中的制作多晶硅电阻工艺和掺杂方法，并详细阐述了这种方法的工艺过程和控制方式。利用LPCVD方式制作多......
三元层状镍钴锰(NCM)正极材料具有高电压、高容量、长循环寿命、安全性能好、无记忆效应、自放电小等优点,无论是在小型锂电池市场......
Ba(1-x)PbxTiO3是重要的电子陶瓷材料,具有优良的电学性能.而Ba(1-x)PbxTiO3薄膜更是重要的电子元件材料.薄膜材料一般是通过离子......
木文对铵钨青铜(ATB)掺杂过程的掺杂效应及掺杂均匀性的有关工艺条件及参数进行了较系统的研究。以保持ATB原有物化特性为前提,确......
随着电子产品的产量猛增,电容器也得到快速发展。贴片式多层陶瓷电容器MLCC是陶瓷电容器的一种,该品种电容器具有尺寸小、电容量范......
钛酸钡因具有高介电常数、压电铁电性及正温度系数等优异性能而成为重要的陶瓷材料。烧结工艺对钛酸钡陶瓷的致密化与显微结构具有......
沟槽功率MOSFET作为在VDMOS基础上发展起来的一种新型功率MOS器件,拥有更低的导通电阻、低栅极电荷密度,从而有更低的导通和开关损......
对航天某型号选用3DK104D型NPN硅外延平面小功率开关三极管补充筛选试验中参数超差问题进行了分析,采用非破坏和破坏性分析相结合......
钛酸钡基陶瓷是一种新兴的多功能电子陶瓷材料,由于其优异的电学性能而在很多领域有着广泛的应用,掺杂离子以及掺杂工艺对钛酸钡的......
