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用慢正电子束探针测量了经剂量为5×1016cm-2的140keVHe+注入的Si(100)单晶S参数与正电子入射能量的关系,得到了注入产生缺陷的分布规律,发现近表面区域损伤不大,缺陷主要是直径小于1nm的空位或空位团,较深的射程末端区域损伤严重,缺陷主要是微空洞和微气泡。对退火效应的研究表明,低温下退火空位缺陷得到了很好的消除,而高温下退火微空洞和微气泡发生融合，而且尺度增加。