各向异性磁电阻相关论文
磁性化合物中自旋、轨道和晶格之间的相互作用会引起丰富的物性,如庞磁电阻和各向异性磁电阻等,相关研究是凝聚态物理和材料物理领......
利用自旋流进行信息的处理和传输是实现高效能存储和计算的有效途径,而由铁磁层/非磁性层组成的异质结构是实现自旋流的产生和探测......
由于各向异性磁电阻(AMR)传感器能够精确测量地磁场的方位，因此它在军事领域的精确定向以及民用领域的航空、航天、航海、机器人、......
在凝聚态领域中,拓扑材料近十年取得了快速发展。从理论预言到实验验证,该领域取得了一系列的成果,丰富的拓扑材料为基础物理研究......
拓扑绝缘体和拓扑半金属是近年来被广泛研究的新型量子材料。由于拓扑绝缘体中表面态自旋动量锁定特性,当电子经过边界上非磁性杂......
对于铁磁金属的磁电阻,传统认为它来自于磁化强度M方向和外加磁场H两方面的贡献,由于M的方向与H有关,所以研究它们各自的影响是一......
自从在锰基钙钛矿结构氧化物中发现庞磁电阻(CMR)效应以来,因为它对科学研究和实际应用都有潜在的价值,这类化合物引起了人们广泛......
基于实际应用的需要,本论文主要研究了如何在坡莫合金薄膜尽可能薄的情况下,提高坡莫合金薄膜各向异性磁电阻(AMR)及磁性能的方法,......
基于辉光放电原理在超高本底真空下制备了Ni81Fe19(12 nm)超薄薄膜,其各向异性磁电阻(AMR)变化率达到1.2%,而矫顽力却只有127 A/m......
为改善Ni80Fe20薄膜的性能,研究不同溅射气压对薄膜微结构和各向异性磁电阻的影响。用磁控溅射方法制备Ni80Fe20薄膜,用X射线衍射......
期刊
采用平面霍尔效应测量方法 ,对Ta(8nm) NiFe(7nm) Cu(2. 4nm) NiFe(4. 4nm) FeMn(14nm) Ta(6nm)自旋阀多层膜进行了研究 .结......
在不同本底真空和工作气压下制备了不同厚度的Ni81Fe19/Ta薄膜,并进行了磁性测量和原子力显微镜分析.结果表明,较厚的薄膜、较高的......
磁电阻效应在基础研究上具有重要意义及广泛的应用前景,寻找既具有低饱和场,又具有高磁电阻效应的磁性材料已成为当前国际上材料研......
用直流磁控溅射方法制备了Ta（x nm）／Ni65Co35（40nm）双层薄膜（x=0，1，2，3，4，5nm），研究了Ta种子层不同制备工艺条件对Ni65Co35（40nm）薄膜的各向异性磁......
本文用磁控溅射方法制备出一系列Ni80Fe20磁性薄膜，研究不同基片温度对薄膜结构和各向异性磁电阻的影响。基片温度在150～180℃时制备......
分别以Ta和（Ni0.81Fe0.19）1-yCry为种子层,研究了Co的含量x及Cr的含量y对Ni1-xCox薄膜各向异性磁电阻值（△ρ/ρ）的影响.结果表明,以Ta......
利用磁控溅射方法制备了一系列Ta（x）/Ni81Fe19（100nm）/Ta（3nm）磁性薄膜。着重研究基片温度、缓冲层厚度对薄膜结构和各向异性磁电阻的影......
以Y2O3作为Ni81Fe19薄膜的氧化插层，利用磁控溅射法制备了一系列不同插层厚度的Ni81Fe19薄膜样品Ta（4nm）/ Y2O3（t）/Ni81Fe19（20nm）/ Y2O3（t......
采用磁控溅射的方法制备了Ta/NiFe/Ta磁电阻薄膜,分别将CoFe-NOL和Al2O3插层引入NiFe薄膜,研究纳米氧化层（NOL）对NiFe薄膜性能的影响......
采用离子束溅射技术制备了一系列不同含量x的(Ni0.8Co0．2)x-Ag1-x。颗粒膜样品，并对样品的各向异性磁电阻和巨磁电阻效应进行了研究，......
采用磁控溅射方法制备了Co/Ni多层膜并做了热处理,测量了系列样品的结构、磁性和磁电阻.受热处理条件等因素影响,多层膜的层间磁性......
文章采用钨（W）作为NiFe合金的缓冲层和覆盖层制备W/NiFe/W系列膜，同时制备了Ta/NiFe/Ta系列膜作对照，研究W/NiFe/W中W对NiFe薄膜AMR的......
在本底真空度优于5×10^-4Pa的室温条件下，利用电子束蒸发方法沉积CoFe薄膜，研究了不同退火温度对CoFe薄膜结构和电磁特性的影响......
用粉末冶金方法制备了Co90Fe10,研究了不同退火温度对电子束蒸发方法制备的CoFe薄膜磁电阻特性和微结构的影响.CoFe薄膜在优于5.5&......
利用多靶磁控溅射系统在康宁玻璃基片上制备了Ta（4nm）/NiO（t）/Ni81Fe19（20nm）/NiO（t）/Ta（3nm）系列坡莫合金薄膜样品,研究了NiO插层厚度、基片......
制备了纳米级(Ni82Fe18)72.9Nb27.1(3.5nm)/Ni82Fe18(t nm)/Ta(3 nm)坡莫合金系列膜,并进行了中温退火(200 °C),测量了退火前......
基于辉光放电原理在不同的溅射气压下制备的NiFe薄膜,发现较低溅射气压下比较高溅射气压下制备的NiFe薄膜的磁性能要好得多.较低溅......
用磁控溅射方法制备了Ni80Co20/M(M=Co,Cr,Ag)多层膜样品系列,Co,Cr,Ag杂质层的标称厚度为0.1 nm,研究了界面散射对多层膜的磁及输......
用直流磁控溅射方法制备了性能优良的以(Ni0.81Fe0.19)1-xCrx为种子层的Ni0.81Fe0.19薄膜,研究了种子层成分及厚度对薄膜磁性和微......
利用新型的磁电阻效应实验仪对多层膜巨磁电阻传感器、自旋阀巨磁电阻传感器以及各向异性磁电阻传感器的电阻随外加磁场的变化进行......
研究了基片温度和溅射气压对磁控溅射方法制备的Ni80Fe20磁性薄膜各向异性磁电阻的影响.实验发现基片温度是影响Ni80Fe20薄膜各向......
镍铁基合金薄膜是各向异性磁电阻传感器常用的传感材料,基于光刻工艺的弱磁场传感器的灵敏度与传感头的图形设计有关,传感头磁电阻......
为提升坡莫合金薄膜的应用价值，探索了在坡莫合金薄膜厚度尽可能薄的情况下，如何制备高各向异性磁电阻Ni81Fe19薄膜。利用磁控溅射，制......
学位
利用自旋进动将动态微波信号转化为直流电信号的现象,即自旋整流效应。由于其在自旋动力学与微波探测方面研究的优势,自旋整流效应......
NiFe多层膜一直是各向异性磁电阻材料领域中的研究热点。为满足现代工业对器件尺寸的严格要求,需要在NiFe薄膜尽可能薄的条件下改......
本文探索了提高坡莫合金(Ni0.82Fe0.18)薄膜的各向异性磁电阻（AMR）和磁性能，以适应其应用于高灵敏度磁头和传感器的途径。采用一种新......
基于NiFe薄膜磁电阻各向异性的磁性传感器,由于其较低的饱和磁场、较高的电阻变化率和较小的退磁场等优点,在我们的日常生活中有重......
作为自旋电子学器件的核心部分,磁性金属薄膜具有复杂的磁耦合和电输运现象以及丰富的物理内涵。两个铁磁层之间穿越非磁隔层的层......
NiFe多层膜材料在磁性材料领域占有着非常重要的地位，它的磁电阻具有方向性，在地磁导航等领域内具有较为广阔的应用前景；同时具有较小......
本论文分别以生长在Si(111)衬底铁薄膜,以及生长在MgO(001)和Si(100)衬底上钴薄膜为研究对象,围绕着温度展开铁磁性金属薄膜的磁性......
YMnO3作为一种典型的多铁性材料,具有六角和正交晶系两种结构。六角晶系（h-）YMnO3具有高于室温的铁电居里温度,通过与铁磁材料复合可......
用磁控溅射方法制备了以Ta和非磁性(Ni0.81Fe0.19)66Cr34为缓冲层的Ni74Co26薄膜,研究了它们的各向异性磁电阻效应.结果表明:用厚......
采用磁控溅射制备了NiFeCr（4．5nm）／NiFe（10nm）／MgO（4．0nm）／Ta（5．0nm）薄膜，并对薄膜进行真空磁场退火。退火后薄膜磁电阻变化率显著提高，400℃退火后......
各向异性磁电阻效应是自旋电子学中的一种非常重要的物理现象,其在诸多相关领域有着广泛的应用前景,因而也是材料科学研究中最具吸......
基于辉光放电原理在超高本底真空下制备了 Ｎｉ８１Ｆｅ１９（１２ｎｍ）超薄薄膜，其各向异性磁电阻（ＡＭＲ）变化率达到 １．２％，而矫顽力却只有１２７ Ａ／ｍ．同较低本底真空下制备的 Ｎｉ８１Ｆｅ１９薄膜进行......
基于电子的自旋相关输运的自旋电子学,其发展推动着高科技的发展。自旋相关的输运行为包括各向异性磁电阻、平面霍尔效应、异常霍......
尖晶石铁氧体MFe2O4(M=Fe、Co、Ni、Mn等)具有丰富多样的电学和磁学性质以及高居里温度等优点,成为磁(自旋)电子学的研究热点。对......
