超薄坡莫合金薄膜

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【摘要】

：

基于辉光放电原理在超高本底真空下制备了Ni81Fe19(12 nm)超薄薄膜,其各向异性磁电阻(AMR)变化率达到1.2%,而矫顽力却只有127 A/m同较低本底真空下制备的Ni81Fe19薄膜进行结

【作者】

：

于广华朱逢吾赵洪辰

【机构】

：

北京科技大学材料物理系

【出处】

：

科学通报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

NiFe薄膜各向异性磁电阻矫顽力结构

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基于辉光放电原理在超高本底真空下制备了Ni81Fe19(12 nm)超薄薄膜,其各向异性磁电阻(AMR)变化率达到1.2%,而矫顽力却只有127 A/m同较低本底真空下制备的Ni81Fe19薄膜进行结构比较表明:超高本底真空下制备的Ni81Fe19薄膜表面光滑、平整、起伏小,薄膜致密,结构缺陷较少;而较低本底真空下制备的Ni81Fe19薄膜表面粗糙、起伏大,薄膜较疏松、不均匀,结构缺陷较多.

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