各向异性磁电阻相关论文
磁性化合物中自旋、轨道和晶格之间的相互作用会引起丰富的物性,如庞磁电阻和各向异性磁电阻等,相关研究是凝聚态物理和材料物理领......
利用自旋流进行信息的处理和传输是实现高效能存储和计算的有效途径,而由铁磁层/非磁性层组成的异质结构是实现自旋流的产生和探测......
利用磁控溅射的方法,在不同规格的硅片上制备相同的NiFe薄膜,主要研究不同晶向的硅片对薄膜磁阻率的影响,以及(100)晶向硅片不同氧......
用磁控溅射方法制备了以Ta和非磁性(NiFe)Cr为缓冲层的NiCo薄膜,研究了它们的各向异性磁电阻效应.结果表明:用厚度为4.5nm的非磁性......
我们研究了厚度、基片温度、真空退火温度对磁控射频溅射制备的NiFe薄膜各向异性磁电阻(AMR)的影响.当膜厚小于100nm时,膜厚对AMR......
本文研究了(NiFe)Cr种子层的成分和厚度对NiFe薄膜各向异性磁电阻及微结构的影响.结果表明:当种子层(NiFe)Cr厚度为5.5nm时,NiFe(2......
各项异性磁电阻(AMR)效应起源于自旋轨道耦合,是铁磁材料最基本的输运性质。一般唯像地认为多晶材料中AMR行为符合公式ρxx=ρ⊥+(......
磁涡旋的自旋动力学相关的研究由于其在磁性记忆器件以及微波辅助信号处理器件等方面的应用前景而得到广泛关注。磁涡旋结构之间微......
掺杂的锰氧化物由于表现出庞磁电阻效应而被广泛研究[1]，特别是半掺杂锰氧化物中出现的电荷有序、轨道有序态已经成为大家研究电子......
由于四氧化三铁的半金属性质,所以它在自旋电子学器件上具有很大的应用前景,因此是一种非常重要的3d 过渡金属氧化物1-3.在四氧化......
各向异性磁电阻(Anisotropic Magnetoresistance,AMR)在磁电阻随机存储器、磁记录和磁性传感器等方面具有重要的应用价值.在传统理......
在半导体衬底生长铁磁性薄膜并研究其磁性,一直以来是自旋电子学的研究热点之一.如在Si(111)表面外延生长Fe薄膜因其磁各向异性引......
半金属Fe3O4具有较高的居里温度(858 K)和理论上100％的自旋极化率,是自旋电子学器件的理想候选材料,但其四重轴对称各向异性磁电阻......
本文利用Co90Fe10靶,采用电子束真空蒸发方法制备了CoFe薄膜,研究了薄膜厚度、退火处理对C090Fe10薄膜电特性的影响,以及厚度对磁......
会议
Cd3As2 was recently identified as a novel three-dimensional(3D)topological semimetal hosting the long-pursuing 3D Dirac ......
2007年，加拿大曼尼托巴大学的自旋动力学研究小组提出了自旋整流(spin rectification)的概念1.自旋整流是指：铁磁金属在铁磁共振......
由于各向异性磁电阻(AMR)传感器能够精确测量地磁场的方位，因此它在军事领域的精确定向以及民用领域的航空、航天、航海、机器人、......
在凝聚态领域中,拓扑材料近十年取得了快速发展。从理论预言到实验验证,该领域取得了一系列的成果,丰富的拓扑材料为基础物理研究......
拓扑绝缘体和拓扑半金属是近年来被广泛研究的新型量子材料。由于拓扑绝缘体中表面态自旋动量锁定特性,当电子经过边界上非磁性杂......
对于铁磁金属的磁电阻,传统认为它来自于磁化强度M方向和外加磁场H两方面的贡献,由于M的方向与H有关,所以研究它们各自的影响是一......
用磁控溅射方法制备了两个具有不同Fe层厚度的 [Ni80 Co2 0 (L) /Fe(tFe) ]N 多层膜系列样品 ,其中tFe=0 1和 2nm .研究了两个系......
首次运用电子束光刻技术和真空沉积技术在硅片表面制备了宽度在20纳米Ni80Fe20薄膜铁磁金属纳米点连接,通过对铁磁金属薄膜纳米点......
众所周知，由于铁磁/反铁磁的交换偏置现象，反铁磁在磁存储结构中作为铁磁层的钉扎层有着重要的应用。近年来，随着自旋转移力矩在......
各向异性磁电阻(Anisotropic Magnetoresistance,AMR)在磁电阻随机存储器、磁记录和磁性传感器等方面具有重要的应用价值.在传统理......
在Ni插层的Co/Pt多层膜Ni/Co/Pt中观察到随Ni厚度增加而大幅度增强的各向异性磁电阻峰,而在未插层的纯Co/Pt多层膜中各向异性磁电......
我们研究了厚度、基片温度、真空退火温度对磁控射频溅射制备的NiFe薄膜各向异性磁电阻(AMR)的影响.当膜厚小于100nm时,膜厚对AMR......
九十年代初用各向异性磁电阻(AMR)材料制造读出磁头,使计算机硬磁盘的面密度开始迅速攀升,今天由于巨磁电阻(GMR)和隧道结(TMR)磁......
研究人员用射频磁控溅射的方法直接制备了各向异性磁电阻比值较大的Ni 80Co 20合金单层膜，且用改变溅射能量的方法制备了纵横磁电阻......
我们用射频磁控溅射方法制备了一系列Co/Pb多层膜样品，进而研究了它的磁电阻与磁光性质。发现该系统除Co子层的各向异性磁电阻外还......
自从庞磁电阻发现以来，钙钛矿锰氧化物一直是磁电子学领域的研究热点。在钙钛矿锰氧化物中，电荷、轨道、自旋和晶格自由度之间复杂的......
自从在锰基钙钛矿结构氧化物中发现庞磁电阻(CMR)效应以来,因为它对科学研究和实际应用都有潜在的价值,这类化合物引起了人们广泛......
自1998年在Fe/Cr超晶格中发现巨磁电阻效应以来，各种类型的磁电阻一直是磁学界的研究热点，开展这些问题的研究，一方面可以加研究人员......
本文主要是利用电子显微学的方法研究磁性薄膜(各向异性磁电阻薄膜和磁性隧道结薄膜)的结构对其性能的影响.论文内容的安排如下:第......
基于实际应用的需要,本论文主要研究了如何在坡莫合金薄膜尽可能薄的情况下,提高坡莫合金薄膜各向异性磁电阻(AMR)及磁性能的方法,......
利用多靶磁控溅射系统制备了一系列坡莫合金薄膜样品Ta(4 nm)/ZnO(t)/Ni81Fe19(20 nm)/ZnO(t)/Ta(3nm),研究了ZnO插层厚度、基片温......
基于辉光放电原理在超高本底真空下制备了Ni81Fe19(12 nm)超薄薄膜,其各向异性磁电阻(AMR)变化率达到1.2%,而矫顽力却只有127 A/m......
基于各向异性磁阻(AMR)传感器的磁电子罗盘利用地磁场实现载体定向.当磁电子罗盘的基准平面"倾斜"时,需要测量俯仰角、滚动角以及......
为改善Ni80Fe20薄膜的性能,研究不同溅射气压对薄膜微结构和各向异性磁电阻的影响。用磁控溅射方法制备Ni80Fe20薄膜,用X射线衍射......
期刊
采用平面霍尔效应测量方法 ,对Ta(8nm) NiFe(7nm) Cu(2. 4nm) NiFe(4. 4nm) FeMn(14nm) Ta(6nm)自旋阀多层膜进行了研究 .结......
在不同本底真空和工作气压下制备了不同厚度的Ni81Fe19/Ta薄膜,并进行了磁性测量和原子力显微镜分析.结果表明,较厚的薄膜、较高的......
磁电阻效应在基础研究上具有重要意义及广泛的应用前景,寻找既具有低饱和场,又具有高磁电阻效应的磁性材料已成为当前国际上材料研......
各向异性的磁致电阻(AMR ) 是在许多相关领域里有宽广应用程序潜力的重要物理现象。因此， AMR 迄今为止是在材料科学的最吸引人的研......
用直流磁控溅射方法制备了Ta（x nm）／Ni65Co35（40nm）双层薄膜（x=0，1，2，3，4，5nm），研究了Ta种子层不同制备工艺条件对Ni65Co35（40nm）薄膜的各向异性磁......
