【摘 要】
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我们研究了厚度、基片温度、真空退火温度对磁控射频溅射制备的NiFe薄膜各向异性磁电阻(AMR)的影响.当膜厚小于100nm时,膜厚对AMR的影响较大;当膜厚大于100nm时,膜厚对AMR的影响逐渐减少;当膜厚大于200nm时,AMR的值趋于恒定.基片温度、真空退火温度对AMR值的提高至关重要,适当地选择这两个温度能使薄膜内的晶粒变大,晶界面积变小,晶界对传导电子的散射减小,从而电阻率下降,AMR效
【机 构】
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南京大学固体微结构物理实验室(江苏南京)
【出 处】
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第四届中国功能材料及其应用学术会议
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我们研究了厚度、基片温度、真空退火温度对磁控射频溅射制备的Ni<,81>Fe<,19>薄膜各向异性磁电阻(AMR)的影响.当膜厚小于100nm时,膜厚对AMR的影响较大;当膜厚大于100nm时,膜厚对AMR的影响逐渐减少;当膜厚大于200nm时,AMR的值趋于恒定.基片温度、真空退火温度对AMR值的提高至关重要,适当地选择这两个温度能使薄膜内的晶粒变大,晶界面积变小,晶界对传导电子的散射减小,从而电阻率下降,AMR效应提高.
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