反铁磁耦合强度对外延Fe3O4薄膜各向异性磁电阻的影响

来源 :中国物理学会2012年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：amao01010

【摘要】

：

半金属Fe3O4具有较高的居里温度(858 K)和理论上100％的自旋极化率,是自旋电子学器件的理想候选材料,但其四重轴对称各向异性磁电阻的来源尚有争议[1].我们用反应溅射法在MgO(100)基底上制备了不同掺杂量的外延Cr(Mn)xFe3-xO4薄膜.采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等手段对样品的微观结构进行了分析,用磁性测量系统(MPMS)测量了样品的磁性质,用物理性质测量

【作者】

：

李鹏崔文瑶汤敏白海力

【机构】

：

天津大学理学院现代材料物理研究所,天津 300072 天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室,

【出处】

：

中国物理学会2012年秋季学术会议

【发表日期】

：

2012年9期

【关键词】

：

反应溅射外延各向异性磁电阻反铁磁耦合强度

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