基于NiFe薄膜磁电阻各向异性的磁性传感器,由于其较低的饱和磁场、较高的电阻变化率和较小的退磁场等优点,在我们的日常生活中有重要而广泛的应用。NiFe薄膜作为磁性传感器的主要组成部分有重要的研究意义,本文主要对NiFe薄膜的磁电阻各向异性展开研究与测试。首先,使用磁控溅射法制备了NiFe薄膜并使用四探针法测试了薄膜AMR值。为了优化薄膜的制备工艺,论文研究了Ta缓冲层厚度、Ta缓冲层制备温度、NiFe层厚度、薄膜制备温度对NiFe薄膜各向异性磁电阻值和磁性能的影响。研究结果表明:Ta缓冲层厚度对NiFe薄膜的AMR值有较大的影响,薄膜AMR值随着缓冲层厚度先增加后降低,当厚度为5nm时,薄膜的AMR值达到最大,约为1.95%;Ta缓冲层沉积温度越高,NiFe薄膜的AMR值也随着增大;NiFe薄膜的制备温度的升高有助于得到较大AMR值,当沉积温度为400℃,薄膜的AMR值达到4.2%的最高值。其次,研究了不同衬底,如Si、SiO2、MgO和Si3N4的粗糙度对NiFe薄膜性能的影响。实验表明,衬底粗糙度对NiFe薄膜的AMR值和矫顽力有较大的影响,对于同一种衬底,粗糙度过大会导致薄膜AMR值的大幅度下降和薄膜矫顽力的增大,这是不符合磁性传感器的要求的。在对MgO衬底上NiFe薄膜进行了退火处理之后,NiFe薄膜的AMR值相比于退火前增加了约50%左右。这表明退火处理对NiFe薄膜的AMR值有显著的提升作用。最后,采用光刻技术制备了磁场的感应单元—Wheatstone电桥,沉积NiFe薄膜后测试了电桥在磁场中的灵敏度。测试结果表明,在磁场强度为20Oe的范围内,电桥的灵敏度约为0.02%/Oe。