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在本底真空度优于5×10^-4Pa的室温条件下，利用电子束蒸发方法沉积CoFe薄膜，研究了不同退火温度对CoFe薄膜结构和电磁特性的影响。样品采用热氧化Si为基片，在3×10^-5Pa真空度下分别进行了150、280、330、450和500℃的60min退火处理。电阻率和磁电阻测量表明，450℃退火处理能够明显降低CoFe薄膜电阻率和提高磁电阻变化率，因为这时的X射线衍射谱显示CoFe薄膜的结构已明显改善。还发现沉积在热氧化Si基片上的CoFe薄膜（111）晶面面间距明显小于靶材相应晶