x)Al_xAs相关论文
我们开发了一个高纯Ｇａ１－ ｘＡｌｘＡｓ的室温折射率模型，适用于直接禁带以上和以下部分，并在禁带处连续．对与１．２ 和１．８ｅＶ 之间的能量的光子，模型与实验符合得很......
n-GaAs/p-GaAs/p-Ga_(1-x)Al_xAs 异质结构背电场背反射簿层电池的光谱响应的计算结果表明:结深x_j对光谱响应有重要的影响,尤其是......
本文通过光致发光手段研究了4.2K下Ga_(1-x)AlxAs中等电子杂质氮的发光行为.利用离子注入及适当退火在 Ga_(1-x)AlxAs中获得约 10~......
本文报道了一种新的Gal—_xAl_xAs液相外延方法。靠控制降温速度,可以在外延表面3—4μ处得到x值均匀甚至沿生长方向有上升趋势的......
采用多层异质液相外延技术,制出了具有开关、存储、发光等多种功能的npnp Ga_(1-x)Al_xAs负阻发光二极管。其典型参数为:阈值电压V......
砷化镓双异质结(DH)激光器由于近年来在光导纤维通讯中成功的应用而受到极大的重视,但在推广时仍有可靠性和成品率不高的问题。为......
用X射线双晶衍射法测定了在GaAs衬底的(001),(110),(111)和(113)方向上生长的Ga_(1-x)Al_xAs外延层的应力状态。算进了立方晶胞化......
作为光通信系统的光源发光二极管(LED)具有价廉、可靠和发射功率随温度变化不大等优点,所以在很多系统中得到广泛应用。为了实现......
介绍我们采用的多次液相外延实验装置，讨论影响薄层液相外延生长的因素。采用 “正交设计”的数学方法安排外延试验，找到多层连续均......
利用GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结构,加上条形结构可以获得在室温下连续工作的半导体激光二极管。我们利用通常的液相外延方法生......
本文报告了采用两种液相外延方法在制备GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs异质结时向三元系材料掺入少量P,使Ga_(1-x)Al_xAs变成Ga_(1-x)Al_xAs......
为了选择带隙对固定激光线调谐的可能性,借助于Ga_(1-x)A1_xAs的禁带宽度随组分x和温度的变化,测量了Ga_(1-x)A1_xAs晶体的一级和......
运用深能级瞬态谱(DLTS)技术,结合等时退火,研究了1.8MeV电子辐照在n型LPE G_a_(1-x)Al_λAs(0≤x≤0.28)层中产生电子陷阱。结果......
本文报道微微秒激光脉冲激发下分子束外延(MBE)生长的GaAs-Ca_(0.6)Al_(0.4)As多量子阱异质结构的光荧光特性.同时观察到发生在n=1......
