SiC衬底相关论文
报告了研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs.器件研制中采用凹槽栅和场调制板结构,有效抑制了电流崩塌并提高了器件的击穿电......
在碳化硅(SiC)衬底上通过物理气相传输(PVT)法制备出氮化铝晶体。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微(SEM)和能量色散光谱(EDS)等手......
宽禁带半导体具备禁带宽度大、电子饱和飘移速度高、击穿场强大等优势,是制备高功率密度、高频率、低损耗电子器件的理想材料。碳......
利用MOCVD在国产SiC衬底上外延高质量的GaN薄膜.随着SIN缓冲层厚度的增加.GaN或核岛的尺寸减小;当AIN缓冲层是20nm时,GaN的表面原......
近几年的实验研究表明,石墨烯插层复合物是一种重要的能源存储和磁性存储材料,理解金属的嵌入机理对于了解石墨烯-衬底界面结构和......
为使SiC器件也能避免电磁干扰，拓展SiC材料在光电子器件领域的应用，开发可见光和近红外光光控SiC器件具有重要意义。本文利用低压化......
采用高温AlN作为缓冲层在国产SiC衬底上利用金属有机物化学气相外延技术生长GaN外延薄膜.通过优化AlN缓冲层的生长参数得到了高质......
采用行星热壁式SiC外延炉对100 mm 4°偏轴4H-SiC衬底外延工艺进行了研究。分析了氢气预刻蚀工艺对4°偏轴衬底外延材料表面形貌的......
由于具有禁带宽度大、直接带隙、电子速率快、击穿场强高等优点,基于GaN基半导体材料的光电器件和微波器件已经在照明与显示、通信......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
采用行星热壁式SiC外延炉对100 mm 4°偏轴4H-SiC衬底外延工艺进行了研究。分析了氢气预刻蚀工艺对4°偏轴衬底外延材料表......
研究了成核层生长条件对SiC衬底上GaN薄膜晶体质量和剩余应力的影响。采用AlGaN成核层并提高其生长温度,能明显降低SiC衬底上GaN外......
通过高分辨X射线衍射（HRXRD）技术，对金属有机化合物气相外延（MOCVD）生长的GaN外延膜及SiC衬底的相对取向，晶格常数和应力情况，位错密度等......
提出了电子束退火制备MgB2超导薄膜新工艺。在对电子束退火制备MgB2超导薄膜可行性进行理论研究的基础上,使用EBW-6型电子束热处理......
基于南京电子器件研究所0.5μm GaN HEMT工艺平台,设计了一款SiC衬底的1.2～1.4 GHz 1.1 kW GaN功率放大器。以管芯S参数和负载牵引......
采用高温AlN作为缓冲层在国产SiC衬底上利用金属有机物化学气相外延技术生长GaN外延薄膜。通过优化AlN缓冲层的生长参数得到了高质......
近年来,LED照明技术发展十分迅速。LED作为一种新型的半导体发光器件,有着体积小、坚固稳定、高亮和节能等诸多优势。同其它光源相......
介简单地介绍了发光二极管的发展历程,概述了LED用SiC衬底的超精密研磨技术的最新现状及发展趋势,阐述了研磨技术的原理、应用和优......
GaN材料因其禁带宽度大、电子饱和速率较高、耐高压、抗辐射并有独特的极化效应的特点,成为制作高温、高频、大功率以及抗辐照的微......
2001年发现了MgB2的超导电性,其超导转变温度超过39K,接近BCS超导体的极限。MgB2具有成本低廉、结构简单、晶界间不存在弱连接、较......
GaN基半导体材料光学和电学性质优良，非常适合发光器件的制备。早在1993年，GaN基蓝光LED就已被成功研制，并得到推广应用。然而围绕着......
