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AIN缓冲层厚度相关论文
AlN缓冲层厚度对SiC上外延GaN薄膜晶体质量的影响
利用MOCVD在国产SiC衬底上外延高质量的GaN薄膜.随着SIN缓冲层厚度的增加.GaN或核岛的尺寸减小;当AIN缓冲层是20nm时,GaN的表面原......
会议
SiC衬底
GaN薄膜
外延生长
晶体质量
AIN缓冲层厚度
MOCVD
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