N面GaN相关论文
随着氮(N)面Ga N材料生长技术的发展,基于N面Ga N衬底的高亮度发光二极管(LED)的研究具有重要的科学意义。研究了具有高发光功率的......
Ga面GaN基器件结构中存在巨大的极化场,引起载流子溢流等问题,严重的损害了器件的性能。而N面GaN则可以使极化场反转,从而解决这些......
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N面GaN材料及器件是宽禁带半导体技术中的重要研究内容。对N面GaN材料及器件的概念、优势、研究现状以及存在的问题进行了系统的分......
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由于具有禁带宽度大、直接带隙、电子速率快、击穿场强高等优点,基于GaN基半导体材料的光电器件和微波器件已经在照明与显示、通信......
众所周知,氮化镓（Ga N）材料具有大的禁带宽度和很高的电子速度,这使GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）成为高速、大功率应用的理想选择。长......
近年来,N面GaN材料由于在高频和光电器件、氢气探测器、以及太阳能电池等领域具有特殊优势而受到关注,但是高质量N面GaN外延薄膜制......
相比于Ga面GaN基外延材料,长期以来N面GaN基外延材料的表面形貌与结晶质量均很不理想。然而,通过研究人员的不懈努力,在2007年前后......
