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为了研究用MOCVD在蓝宝石衬底上制备的AlGaN/GaN异质结的性能,分别在成核温度为580℃和600℃的非故意掺杂GaN模板上制备了Al0.30Ga......
碳纤维复合材料风扇叶片榫头段是铺层数量最多、递减铺层最集中的部位,榫头的铺层质量影响叶片的低周疲劳强度.为完成叶片榫头段的......
采用直流反应磁控溅射技术，在AISI304不锈钢基体上镀制了三种具有不同插入层结构的CrNx涂层．用X射线晶体衍射仪（XRD）表征了涂层的晶体......
在低温条件下利用Al诱导结晶在绝缘衬底上生长高晶体质量的多晶Ge薄膜.使用厚度为1~10 nm的Ge插入层可以改善多晶Ge薄膜的生长条件......
利用MOCVD技术在蓝宝石衬底上外延生长了具有低温插入层结构的绿光LED，研究了具有插入层结构的LED的发光特性。插入层的引入增加了I......
研究了MOCVD系统中原位SiN插入层对GaN薄膜应力和光学性质的影响。采用SiN插入层后,GaN薄膜的裂纹数量大大减少,薄膜所承受的张应......
近年来，GaN基半导体材料和器件取得了很大的进展，但是由于缺乏合适的衬底，限制了器件性能的进一步提高。氢化物气相外延（HVPE）技术由于......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
电子器件行业的迅速发展及其对储能器件快充慢放、循环寿命长的要求,促使研究者们研发新一代高能量密度的储能器件。锂硫电池的能......
ZnO是一种常见的直接带隙宽禁带半导体材料,是第三代半导体材料中的研究热点。其在室温下具有较大的激子束缚能（60 me V）,禁带宽度为......
近年来,N面GaN材料由于在高频和光电器件、氢气探测器、以及太阳能电池等领域具有特殊优势而受到关注,但是高质量N面GaN外延薄膜制......
为了获得高质量的GaN薄膜材料,研究了金属有机物气相沉积系统中GaN插入层对GaN衬底同质外延层表面宏观缺陷和晶体质量的影响.研究......
设计了一种具有双Al N插入层的Al GaN/Al Na/GaN/Al Nb/GaN HEMT结构材料,用以提高沟道对2DEG的限制作用、改善材料的电学性能。采......
垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,简称VCSEL)相对于面世更早的边发射激光器而言,有相当多独特并且实......
