斜切衬底相关论文
作为优秀的第三代宽禁带半导体材料,GaN基材料在电子器件领域和光电器件领域中都具有非常广阔的应用市场。Ga N基发光二极管(light......
随着社会的发展,科技的进步,半导体材料在现代科技革命中扮演着极其重要的角色。作为第三代半导体材料的代表,氮化镓(GaN)和其它氮......
在斜切基片表面上引入原子台阶并对物理表面进行改性，可提高表面吸附原子的成核率及抑制量子点的合并，实现三维量子点在Stranski—Kr......
由于具有禁带宽度大、直接带隙、电子速率快、击穿场强高等优点,基于GaN基半导体材料的光电器件和微波器件已经在照明与显示、通信......
GaN材料作为一种第三代半导体材料,具有宽禁带、高电子饱和漂移速度和高击穿场强等优点,目前被广泛用于研制各种光电器件和高温、......
利用MOCVD技术在斜切角度为0.3°的c面蓝宝石衬底上生长了非故意掺杂GaN薄膜,并采用透射电子显微镜对材料的质量和材料内部缺陷进......
