论文部分内容阅读
在斜切基片表面上引入原子台阶并对物理表面进行改性，可提高表面吸附原子的成核率及抑制量子点的合并，实现三维量子点在Stranski—Krastanov（S-K）模式生长的调控生长。概述了斜切基片法在Si衬底上生长有序量子点的研究进展；介绍了斜切基片作为图形衬底生长有序量子点的应用。叙述了斜切基片产生台面、台阶和扭结的图形衬底结构机制及影响因素，探讨了台阶模板形成机制及台阶模板上生长量子点的研究进展。