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Ge-GaAs相关论文

在分子束外延的Ge-GaAs上应用耐熔金属化的FET结构

一、引言无论在低噪声领域还是在大功率工作方面,都已确立了 GaAs MES FET 的地位,从而开展了许多可靠性的探讨。已报道了铝栅金......

期刊

金属化 FET Ge-GaAs 欧姆接触分子束外延退化机理均匀性反向偏压势垒高度异质结

低势垒高度外延Ge-GaAs混频二极管

使用薄 Ge-GaAs 结构,所得到的势垒高度降低了0.2～0.3电子伏。当本振功率为0.75—1.0毫瓦时,这些 X 波段二极管的噪声系数为6.0～6.5......

期刊

混频二极管势垒高度 Ge-GaAs 噪声系数本振金属化毫瓦肖特基二极管肖特基肖特基势垒

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