锑化镓相关论文
主要介绍了Ⅱ类超晶格探测器芯片双波段背增膜在探测器中的作用及其膜系设计与制备工艺.该膜的作用是减小探测器芯片表面在响应波......
基于InGaSb/AlGaAsSb材料体系, 制备出了一款高性能的镀膜激光器。为了性能对比, 同时制备了未镀膜激光器。未镀膜的器件在注入电......
High Hole Mobility of GaSb Relaxed Epilayer Grown on GaAs Substrate by MOCVD through Interfacial Mis
The structural property of GaSb epilayers grown on semi-insulator GaAs (001) substrate by metalorganic chemical vapor de......
在 N-GaSb 的锌散开过程与散开来源(锌小团) 的过多、适当、不够的数量被学习。与适当的锌小团数量获得的 Kink-and-tail 类型锌集......
分析了非掺锑化镓单晶片的化学抛光机制和影响获得表面质量良好的非掺锑化镓单晶片的因素，得到了非掺锑化镓的抛光工艺参数。利用该......
空间的微重力给晶体生长提供了一个消除自然对流、由纯扩散控制的生长环境 ,为提高晶体质量创造了条件 ,引起晶体生长研究人员的关......
对不同条件下制备的锑化镓抛光晶片表面进行了TOF-SIMS测试比较。结果表明使用体积比为5∶1的HCl与CH_3COOH的混合溶液清洗腐蚀(10......
对相同条件下制备的不同晶向的锑化镓抛光晶片表面化学组分进行了XPS测试比较,结果表明(110)GaSb晶片表面的氧化程度最为严重,表面......
研究了一种2μm波段GaSb基亚波长光栅反射镜,讨论了亚波长光栅的各参数对反射谱的影响。对于中心波长为2μm的TM模式,反射镜具有大......
通过MBE外延系统生长了2μmGaSb基AlGaAsSb/InGaSbI型量子阱激光器,并制备了宽面条形波导激光器件,在20℃工作温度下,器件最大连续......
使用固态源MBE 系统进行锑化镓基量子阱激光器结构的外延生长,通过优化稳定生长条件,结合标准宽条形激光器制备工艺,获得了在1......
埃因霍温菲利普实验室探索到了一组既可用于模拟记录又可用于数字记录的可擦除光存储材料。这组新颖材料实际上是添加了少量掺杂......
一般金属都是热胀冷缩,唯有锑冷胀热缩。这种反常特性,使锑成了印刷工业发展史上的“功勋战士”。独特的性能锑,是银灰色金属,质脆......
隧道二极管简称隧道管,是用锗、砷化镓、锑化镓等半导体材料制造的一种小型二极管.它的结构特点是有一个两边重掺杂的PN结,因而有......
半导体材料的研究开发,是现代新兴电子信息产业的基础,其战略地位日益显得重要了。半导体材料种类繁多,主要有:锗、硅等的元素半......
2～4μm波段是非常重要的红外大气窗口,工作在这个波段的激光器在气体检测,医疗美容和工业加工领域具有十分巨大的应用价值.锑化物半......
半导体热光伏技术是将热辐射用光伏电池转换为电能输出的一项新能源应用技术，有望作为传统光伏技术的重要补充内容在缓解国际社会面......
热光伏技术正在迅猛发展，提升其核心器件，即热光伏电池的能量转换效率对热光伏技术发展的重要性不言而喻。本论文从多个方面研究了提......
微热光伏电池系统是利用燃料在燃烧器中燃烧释放的化学能,经辐射器转换为热辐射能,再利用光伏电池进行光电转换为电能的系统。微热......
InAs，GaSb，AlSb等材料的晶格常数接近6.1(A)，所以统称其为“6.1家族”。由于“6.1家族”材料的晶格常数相差很小，材料生长工艺相对简单......
2μm波段大功率激光源在激光传感和光谱学、医疗、材料加工、自由空间光通信、军事安全等领域有非常重要的应用前景。在目前常用的......
Bridgman法生长锑化镓单晶和高温超导氧化物BiSrCaCuO单晶的生长是安排在美国航天飞机G432号搭载桶中进行的两项熔态晶体生长空间......
学位
2～5μm波段内的激光由于具有较低的散射与吸收，因而在空间点对点通信、激光雷达、军事目标指示方面拥有重要的应用前景。锑化物有源......
国际半导体技术路线图中明确指出研制可控生长半导体纳米线及其高性能器件是当代半导体工业在纳米CMOS和后CMOS时代的一个具有挑战......
InAs/GaSb基Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米结构因其高的电子迁移率,大的波尔激子半径以及优异的光电学性质被越来越广泛地应用于光电子学领域......
空间的微重力给晶体生长提供了一个消除自然对流、由纯扩散控制的生长环境，为提高晶体质量创造了条件，引起晶体生长研究人员的关注.......
首次报道了在水平磁场中采用ＬＥＣ工艺生长锑化镓单晶，磁场强度为０．０５－０．３２Ｔ，且连续可调，所用覆盖剂为等摩尔比的ＮａＣｌ＋ＫＣｌ混合物，覆盖厚度２－５ｍｍ，拉速０．３－１．５ｃｍ／ｂ。生长方向；对ＭＬＥＸ和ＬＲＣ样......
采用 LEC 方法研制出掺锌(100) GaSb 单晶;用霍尔测量法算出的锌掺杂浓度计算得出锌的有效分凝系数 keff 约为 0.84±0.01,沿......
用电化学和光电化学方法研究锑化镓表面的腐蚀以及锑化镓表面氧化膜的生成和溶解，锑化镓电极在一定电势下生成的氧化膜，用俄歇能谱证......
以三甲基铟（ＴＭＩｎ）、砷烷（ＡｓＨ３）、三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基锑（ＴＭＳｂ）为源，用水平常压ＭＯＣＶＤ技术，在较低的Ⅴ／Ⅲ比的条件下（１．５～４）于ＧａＡｓ和ＧａＳｂ衬底上成功地生长了ＩｎＡｓ合金和ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ异质结．实验表明，生......
采用Ｌ．Ｌ．Ｐ方法导出表面极化子的基态能量，声子平均数，讨论了电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢声子之间相互作用对ＧａＳｂ半导体表面中表面极化......
基于密度函数理论和广义梯度近似原理,计算了锑化镓（GaSb）体结构中的不同缺陷的形成能.计算结果表明,无论是在Ga-rich 晶体条件下还......
Advances of the Vertical Directional Solidification Technique for the Growth of High Quality GaSb Bu
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分析了非掺锑化镓单晶片的化学抛光机制和影响获得表面质量良好的非掺锑化镓单晶片的因素，得到了非掺锑化镓的抛光工艺参数。利用该......
本文给出了水平Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长Ｇａｓｂ晶体中几种典型缺陷的化学腐蚀图像。探讨了缺陷产生的可能原因及减少或消除这些缺陷的途径。生长出较高质量......
利用同步辐射光电子谱,研究了[NH_4]_2S_x处理GaSb(100)表面的成键特性和化学组成及室温下Mg淀积到钝化GaSb表面的界面反应和电子......
III-V族半导体材料因其光电子应用中的优势而备受关注。这些材料中,GaSb和GaSb相关半导体材料因具有高的载流子迁移率和较窄的禁带......
用透射电子显微镜、扫描电镜对锑化镓材料切、磨、抛等加工工艺引入的表面损伤进行观察和检测. 结果表明: 切割加工是锑化镓单晶晶......
本文分析了以往在制作GaSb/Al_xGa_(1……x)Sb结构雪崩光电二极管(APD)中存在的问题,提出了在富Sb状态下进行液相外延(LPE)生长GaS......
利用时域有限差分法研究了Au纳米天线对GaSb纳米线的消光增强.通过分析不同形状Au纳米阵列的电场特性和光学特性,发现三角形为最优......
Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米材料由于其新奇的特点及潜在应用的优势,近二十几年来一直受到科学家们的青睐,深入了解Ⅲ-Ⅴ族纳米材料的电子结......
据日本应用物理杂志报道,用钆镓石榴石直接粘结锑化镓铟与磷化钢而不使用粘结剂的实验已获成功。实验中使用的样品是市售易得的镜......
ＡＥＳ、ＸＰＳ分析和ＸＲＤ谱结果证明：采用低能双离子束淀积（ＩＢＤ）技术，在ＧａＳｂ（００１）衬底上共沉积生长了闪锌矿结构ｃ－ＧａＮ，Ｘ为Φ扫描显示，生长薄膜与衬底晶向匹配关系是ｃ－ＧａＮ（１１０）／／ＧａＳｂ（１００），由此可以......
