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[期刊论文] 作者：谢书银,石志仪,
来源：稀有金属 年份：1995
硅片表面状态与机械强度谢书银，石志仪（中南工业大学４１００８３）关键词：硅片，化学腐蚀，表面损伤，抗弯强度，表面处理（一）前言半导体器件所用的研磨硅片在器件生产过程中都有一定程度的破碎，尤其是当...
[期刊论文] 作者：石志仪,谢书银,
来源：稀有金属 年份：1993
用测试抗弯强度的方法测定了氮气氛下直拉硅(NCZ-Si)棒轴向机械强度分布。与红外分析结果比较表明,含氮 CZ-Si 中 N-N 对的浓度对硅棒强度分布起着比间隙氧更重要的作用。碳...
[期刊论文] 作者：谢书银,石志仪,
来源：半导体学报 年份：1995
研究了硅片抗变强度，提出了一种圆片冲击宣测定硅片抗弯强度的方法，讨论了其准确度及精度并通过实验进行了偏离小挠度的校准．...
[期刊论文] 作者：石志仪,李立本,等,
来源：半导体学报 年份：1993
用抗弯强度方法测定不同含氮量的原生和经550℃，750℃及900℃不等时热处理后直拉硅（NCZ－Si)的力学性能变化，结合红外光谱分析热处理过程氧、氮含量及形态的改变，认为在含氮直拉硅......
[期刊论文] 作者：谢书银,石志仪,
来源：力学学报 年份：1995
提出了一种新的使用圆片试样及冲击加载的硅片抗变强度测试方法，结合动能定理和薄板不挠度理论推导了变强度的计算公式，测试结果准确，精度好。...
[期刊论文] 作者：谢书银,石志仪,
来源：半导体技术 年份：1998
根据动能定量和薄板理论提出了一种新的脆性材料强度测试方法－－圆片冲击法。通过当硅较薄时偏离小挠度条件的实验校准，使该方法适用于各种厚度硅片的强度测量，进而制 硅片抗弯强......
[期刊论文] 作者：谢书银,石志仪,
来源：半导体技术 年份：1997
通过硅片高温热处理实验研究了热自理工艺和表面状态对硅片高温弯曲度变化的影响，高温工艺中坚直装片引起的形变较小，研磨硅片经过适当化学腐蚀可明显降低高温翘曲。...
[期刊论文] 作者：谢书银,石志仪,
来源：半导体技术 年份：1995
通过测定滚圆前后硅后强度变化，并结合扫描电镜观察，研究了滚圆在硅片表面造成的损伤及对抗变强度的影响，提出了消除影响使强度恢复的简单方法。...
[期刊论文] 作者：谢书银,石志仪,
来源：中国有色金属学报 年份：1997
研究了热处理温度、时间及降温方式对不同氧、氮含量的氩气氛直拉硅及氮气氛直拉硅抗弯强度的影响规律。结果表明：硅氧络合物和氮硅氧络合物的生成使抗弯强度提高，沉淀的形成使......
[期刊论文] 作者：谢书银,石志仪,
来源：中南工业大学学报 年份：1995
通过实验系统地研究了硅中氧、氮、碳含量和状态以及硅片表面损伤对室温下硅片抗弯强度的影响规律，讨论了室温抗弯强度与高温抗形变能力之间的内在联系，提出了室温抗弯强度大小......
[期刊论文] 作者：谢书银,石志仪,
来源：中南工业大学学报 年份：1996
推导了圆片冲击法测试硅片抗弯强度时最大挠度的计算公式．通过薄硅片抗弯强度的测试实验，对因不符合小找度假设产生的误差进行了实验校准，并研究了挠度、厚度比ω／δ与校准系数Ｋ的......
[期刊论文] 作者：谢书银,石志仪,
来源：中国有色金属学报 年份：1996
提出了利用直拉硅中与氮有关的特征红外吸收峰９６３、９９６、１０８１及１０２７ｃｍ＾－１确定直拉硅中氮含量的计算公式，并进行了多种样品实测。该法克服了只用９６３ｃｍ＾－１峰测定直接硅中氮使结果偏低的弊病，方法相对偏差为５－２０％。......
[期刊论文] 作者：谢书银,石志仪,
来源：稀有金属 年份：1987
采用氧含量不同的直拉和区熔硅单晶,进行三点弯法测抗弯强度,研究硅中氧含量对硅片强度的影响。The Czochralski method was used to measure the flexural strength of Cz...
[期刊论文] 作者：谢书银,石志仪,,
来源：稀有金属 年份：1982
直拉“111”锗单晶生长界面棱线处过冷度较大,容易形成偏离原晶向的稳定晶核,而且生成与生长轴成19°28＇双晶需要能量小,并更有利于“111”密排面优先扩展。所以在过冷度最大...
[期刊论文] 作者：石志仪,周秋敏,
来源：中南矿冶学院学报 年份：1980
本文用电子计算机根据准规则溶液(quasi—regular solution)模型近似,计算了Ga—As—Ge三元系在800,900,1000,1100和1200℃的初晶为GaAs的液相等温线。计算结果和文献中实验...
[期刊论文] 作者：谢书银,石志仪,李冀东,
来源：半导体技术 年份：1998
根据动能定理和薄板理论提出了一种新的脆性材料强度测试方法——圆片冲击法。通过当硅片较薄时偏离小挠度条件的实验校准，使该方法适用于各种厚度硅片的强度测量，进而制订了硅......
[期刊论文] 作者：谢书银,石志仪,余思明,
来源：中南工业大学学报 年份：1995
通过实验系统地研究了硅中氧、氮、碳含量和状态以及硅片表面损伤对室温下硅片抗弯强度的影响规律，讨论了室温抗弯强度与高温抗形变能力之间的内在联系，提出了室温抗弯强度大小......
[期刊论文] 作者：谢书银,石志仪,陈中祥,
来源：半导体技术 年份：1997
通过硅片高温热处理实验研究了热处理工艺和硅片表面状态对硅片高温弯曲度变化的影响，高温工艺中竖直装片引起的形变较小，研磨硅片经过适当化学腐蚀可明显降低高温翘曲。...
[期刊论文] 作者：谢书银,石志仪,施锦行,
来源：Rare Metals 年份：1999
１ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＴｈｅｆｌｅｘｕｒｅｓｔｒｅｎｇｔｈｏｆｓｉｌｉｃｏｎａｎｄｏｔｈｅｒｂｒｉｔｌｅｍａｔｅｒｉａｌｓａｒｅｕｓｕａｌｙｔｅｓｔｅｄｂｙｔｈｒｅｅｐｏｉｎｔｂｅｎｄｉｎｇ（ＴＰＢ）ｍｅｔｈｏｄａｎｄｕｓｉｎｇｓｔｒｉｐｓａｍ.........
[期刊论文] 作者：谢书银, 石志仪, 李冀东, 董萍,
来源：中国有色金属学报 年份：1997
研究了热处理温度、时间及降温方式对不同氧、氮含量的氩气氛直拉硅（ＡＣＺ）及氮气氛直拉硅（ＮＣＺ）抗弯强度（σ）的影响规律。结果表明：硅氧络合物和氮硅氧络合物的生成使抗弯强度提高，沉淀的形成使强度下降。提出了既能消除热施主、又可避免强度降低的６５０℃热处理两段冷新工艺......
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