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通过实验系统地研究了硅中氧、氮、碳含量和状态以及硅片表面损伤对室温下硅片抗弯强度的影响规律，讨论了室温抗弯强度与高温抗形变能力之间的内在联系，提出了室温抗弯强度大小可以反映硅片高温抗形变能力的观点。
硅片的抗弯强度及其与高温抗形变能力的关系
【摘 要】
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通过实验系统地研究了硅中氧、氮、碳含量和状态以及硅片表面损伤对室温下硅片抗弯强度的影响规律，讨论了室温抗弯强度与高温抗形变能力之间的内在联系，提出了室温抗弯强度大小
【机 构】
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中南工业大学应用物理与热能工程系
【出 处】
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中南工业大学学报
【发表日期】
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1995年2期
【基金项目】
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国家教委硅材料国家重点实验室基金
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