高纯钛相关论文
等通道转角挤压(Equal Channel Angular Pressing,简称ECAP)是一种在模具通道转角处,依靠剧烈的纯剪切变形来制备超细晶(Ultra-fine G......
本文结合热力学和晶核长大理论,采用CVD(Chemical Vapor Deposition)法实验提纯钛,并对实验过程的成核热力学因素进行了分析,研究......
对CVD法制备高纯钛过程中钛族元素锆的行为进行热力学分析,结果发现:钛卤化温度条件下,杂质元素Zr能够在卤化区生成ZrI2、ZrI3和ZrI4,......
以海绵钛为可溶阳极,纯钛板为阴极,NaCl-KCl-TiClx混合熔盐作电解质,在900℃-980℃温度范围内进行熔盐电解,研究了加料温度、电解温度......
本文对高纯钛制备过程中杂质Ni的行为进行了热力学分析。杂质Ni在一定的条件下可以生成NiI2,再以NiI2的形式在沉积区分解,从而进入高......
实验用了化学气相沉积(CVD)法制备高纯钛.对高纯钛制备中的形核过程进行了热力学和动力学分析,实验得出:沉积区温度应控制在1350~145......
日本东邦钛公司2021年4—6月净销售额为118.10亿日元,较2020年同期的79.73亿日元增长了48.12%;营业利润为12.47亿日元,较2020年同......
建立了电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)快速测定高纯钛中痕量铁的方法.采用氢氟酸和硝酸溶解高纯钛样品,稀释、定容后直接进入ICP-MS......
采用正交实验方法研究了钛卤盐热裂解法生产高纯钛的工艺条件。结果表明,各因素对钛纯度影响程度从大到小依次为高温区温度>真空度......
采用辉光放电质谱法(GD-MS)测定高纯钛中Mg、Al、Cr、Fe、V、Mn、Co、Ni、Cu、Zn、As、Sn、Sb、Ta、W、Pb、Bi等痕量杂质元素,并对......
采用化学气相沉积(CVD)法制备高纯钛。以经典的成核理论为依据,对钛在沉积基体上的成核过程进行热力学和动力学分析,计算出成核过......
CVD法制备高纯钛过程中,高纯钛沉积速率和杂质含量是制约其规模化生产的主要原因。本文对沉积速率和杂质含量的影响因素进行了分析......
以卤化剂和海绵伙为原料,采用特殊的工艺设备,利用化学气相沉积(CVD)法制备高纯钛.对高纯钛伙设备过程中Mn的行为进行了热力学分析......
以四氯化钛和海绵钛为原料,采用歧化反应法制备了低价钛氯化物复合电解质。研究了四氯化钛的滴加速度、反应温度、保温时间对低价......
通过对碘化钛电子束熔炼提纯效果分析,提出合理、经济的高纯钛制取工艺路线。...
以氯化钠−氯化钾作为熔盐,采用熔盐电解法对海绵钛阴极片进行提纯,通过对电解过程形核率的理论推导,分析电解温度及不同熔盐成分......
以粗钛和自制的卤化剂为原料,采用化学气相沉积法(CVD)制得高纯钛。结合热力学和晶体形核-长大理论对CVD高纯钛的反应热力学和成核热......
大阪钛技术有限公司(原住友钛公司)一直是世界上主要的海绵钛制造商。其主要钛产品有TiCl4、海绵钛、钛铁、钛锭、高纯钛和钛粉。......
对卤化法制备高纯钛过程中杂质Si的行为进行了热力学分析。在实验控制的条件下,杂质Si在卤化源区可以生成SiI2和SiI4,以SiI4的形式......
钛将成为继铁、铝之后崛起的“第三金属”。钛在自然界中主要以钛铁矿、天然金红石、钒钛磁铁矿等形式存在。纯钛外观似钢,具有银灰......
以 NaCl-KCl-TiClx为电解质,以海绵钛为原料进行熔盐电解提纯制取高纯钛粉。研究电解过程中离子价态、纯度及电结晶的演变规律。XPS......
6月30日,位于浙江余姚的宁波创润新材料有限公司“年产250t电子级低氧超高纯钛项目”正式投产。据悉,这是国内第一炉电子级低氧超高......
对于中国钛工业来说,在过去十年中走过了一段由盛夏渐入寒冬的历程。海绵钛及其加工业产能的过快增长与工业需求的严重不匹配,导致整......
记者在遵义钛业股份有限公司获悉,该公司承担的国家重大科技专项“极大规模集成电路制造技术及成套工艺”(简称02专项)第31子项第......
以卤化剂和海绵钛为原料,采用特殊的工艺设备,利用化学气相沉积(CVD)法制备高纯钛。对高纯钛设备过程中Mn的行为进行了热力学分析;在卤......
实验用了化学气相沉积(CVD)法制备高纯钛,对高纯钛制备中的形核过程进行了热力学和动力学分析,实验得出:沉积区温度应控制在1350K~145......
对卤化法制备高纯钛过程中Ni的行为进行了热力学分析:在实验条件下,杂质元素Ni能在卤化源区(800~1000K),与卤化剂反应,生成NiI2。在沉积区......
据报道,贵州省遵义钛业股份有限公司“大型镁法还原-蒸馏工艺技术”、“电子级高纯钛制备工艺”等均取得重大进展,已获得授权专利36......
宁波创润新材料有限公司自主设计建设的年产250t电子极低氧超高纯钛项目正式投产,产出的中国第一炉超高纯钛不仅填补了我国相关产业......
对卤化法制备高纯钛过程中杂质Cr的行为进行了热力学分析。实验条件下,在卤化源区(823~1023K),杂质Cr能与卤化剂反应,生成CrI2与CrI3;......
6月30日,位于浙江余姚的宁波创润新材料有限公司(以下简称:创润公司)“年产250吨电子级低氧超高纯钛项目”正式投产。据悉,这也是国内首......
杜邦公司公布了一项低成本工艺,即由蜂窝电子材料公司(Honeywell Electronic Materials)为制备高纯钛金属粉而研制的工艺。低成本钛粉......
对化学蒸汽沉积法(CVD法)制备高纯钛及制备过程中锆的行为进行热力学分析。结果表明,在钛卤化温度条件下,杂质元素Zr能够在卤化区生......
建立了离子交换色谱-电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)测定高纯钛中Mg、Cr、Fe、V、Mn、Co、Ni、Cu、Zn、Sr、Cd、Ba、Tl、Pb等痕量杂质......
以海绵钛为阳极,纯钛板为阴极,钛离子质量分数为3%~8%的CaCl2-TiCl2混合熔盐作电解质,在温度为1173K,阴极电流密度为0.05~0.80A/cm^2的条件下,......
高纯钛在半导体超大规模集成电路中以钛硅化合物(TiSix)、氰化钛(TiN)、钨钛(W-Ti)等形式用做控制电极、扩散阻挡层、配线等材料,这些都是以薄膜形式使......
采用正交试验研究了钛卤盐热裂解法生产高纯钛的工艺条件.结果表明,各因素对产率的影响程度依次为低温区(卤化源区)温度>基底截面直径......
介绍了碘化法制备高纯钛的工艺条件及操作要求;在真空度0.002 Pa,碘化温度600℃,分解温度1 100℃条件下,晶体横截面断口形貌整齐、......
<正> 高纯钛作为溅射靶以TiSi_x、TiN膜的形式用作超大规模集成电路的控制电极、扩散阻挡层及配线材料等。材料中所含重金属......
对传统的以高价钛卤盐(TiI4)热裂解制备高纯钛的实验方法进行了改进,使用了低价钛卤盐(TiI2)的热裂解法制备4N高纯钛,使得卤化源区温度......