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对卤化法制备高纯钛过程中杂质Cr的行为进行了热力学分析。实验条件下,在卤化源区（823～1023K）,杂质Cr能与卤化剂反应,生成CrI2与CrI3;在沉积区（1373～1473K）,CrI2不能分解,CrI3能够分解,杂质Cr主要来自于CrI3的分解携入。
卤化法制备高纯钛过程中杂质Cr的行为研究
【摘 要】
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对卤化法制备高纯钛过程中杂质Cr的行为进行了热力学分析。实验条件下,在卤化源区（823～1023K）,杂质Cr能与卤化剂反应,生成CrI2与CrI3;在沉积区（1373～1473K）,CrI2不能分解,CrI3能够
【机 构】
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贵州大学材料与冶金学院
【出 处】
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中国有色冶金
【发表日期】
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2011年1期
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