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以粗钛和自制的卤化剂为原料,采用化学气相沉积法（CVD）制得高纯钛。结合热力学和晶体形核-长大理论对CVD高纯钛的反应热力学和成核热力学因素进行了分析,并依据热力学分析结果,重点归纳了温度对CVD高纯钛沉积速率的影响,并结合实验对分析结果作出优化,得出了CVD法生产高纯钛的最佳温度控制条件：碘化源区温度应控制在750~850 K,沉积区温度应控制在1350~1450 K。