GaN材料为直接带隙、宽禁带半导体材料，具有优良的的光、电与热传导特性，因此适合作为短波长光电元件的材料。自1993年第一只商业化G......

(Al_xGa_(1-x))_(0.5)In_(0.5)P高亮度发光二极管是在GaAs衬底上匹配外延的,它的外量子效率受限于吸收光线的GaAs衬底。LED晶片键......

为了解决迭代法在反演透明衬底透明膜找偏参量时的出错问题，采用理论与实验相结合的方法，对透明衬底透明膜椭偏数据处理进行了理论分......

根据光荧光谱的测试原理，针对具体的化合物半导体材料的层次结构，归纳、总结出两个实用的分析模型：光荧光谱的厚度干涉模型和透明衬底......

发光二极管的内量子效率与外量子效率之间存在巨大的差距,主要介绍了提高发光二极管(LED)外量子效率的几种途径,包括生长分布布喇......