该论文的主要研究内容为拓展InGaAs/GaAs量子阱的波谱范围和提高AlGaInP/GaAs LED器件的发光效率.第一,讨论了1064nm半导体激光器......

(Al_xGa_(1-x))_(0.5)In_(0.5)P高亮度发光二极管是在GaAs衬底上匹配外延的,它的外量子效率受限于吸收光线的GaAs衬底。LED晶片键......

在Si和外延层之间使用一层薄金属层作为高效反射镜的所谓"镜面衬底",不但有助于提高芯片的出光效率,同时把键合温度降低到300℃以......