【摘 要】
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(Al_xGa_(1-x))_(0.5)In_(0.5)P高亮度发光二极管是在GaAs衬底上匹配外延的,它的外量子效率受限于吸收光线的GaAs衬底。LED晶片键合技术可以把LED外延片和GaP透明衬底、金属
【机 构】
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山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室 济南 250100,济南 250100
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(Al_xGa_(1-x))_(0.5)In_(0.5)P高亮度发光二极管是在GaAs衬底上匹配外延的,它的外量子效率受限于吸收光线的GaAs衬底。LED晶片键合技术可以把LED外延片和GaP透明衬底、金属镜面衬底或蓝宝石衬底结合以提高出光效率。本文对上述三种晶片键合的器件制备过程和器件特点进行了描述。
(Al_xGa_ (1-x)) _ (0.5) In_ (0.5) P high-brightness light-emitting diodes are GaAs substrates with matching epitaxy and their external quantum efficiency is limited by light-absorbing GaAs substrates. LED chip bonding technology can be LED epitaxial and GaP transparent substrate, metal mirror substrate or sapphire substrate combine to improve the light efficiency. This article describes the device manufacturing process and device characteristics of the above three kinds of wafer bonding.
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