瞬态热阻抗相关论文
电动汽车驱动系统逆变器是电动汽车控制系统的重要组成部分,IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）模块则是电驱逆变器的核......
叙述了汽车用整流二极管的芯片类型，焊接形式及失效模式，给出了热敏电压△VF等效测试瞬态热阻抗的原理，将热敏电压△VF应用于汽车用整......
应用有限元法 ,对一个 IGBT功率模块的三维热分布进行了仿真研究 ,提出了通过 ANSYS仿真建立热模型的基本方法 ,进而探讨了功率模......
在绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块的高效散热设计、变流器系统的长期可靠性评估等方面,通常需要了解IGBT模块温度,而现有模型及方法仿......
近年来，我国用于电焊机上的晶闸管相关技术日臻成熟。然而，由于电焊机电源要经常地、反复地、有时甚至每秒几十次地经受大电流或短路......
1 引言当今市场上需要占地面积较小且又具有较高功率水平的DC/DC变换器。为了获得这样的功率密度,开关频率提高了,这使MOSFET的功......
设计实验,分析了相同片径的MOV芯片通过不同电流值时瞬态热阻抗值随温度的变化关系,利用瞬态热阻抗模型研究了不同电流对MOV芯片瞬......
对大功率逆变器进行热-电耦合的研究可以为功率器件的选型与使用、散热器的合理设计、逆变器结构优化以及整个逆变系统的可靠运行......
在电磁发射技术中,充电电源大功率、高功率密度是其重要的技术要求。充电电源工作在间歇工作状态,暂态热设计是影响电源功率密度的......
结温是表征IGBT健康状态的重要参数,结温的实时监测对IGBT模块的状态评估、寿命预测等具有重大意义。对IGBT在实验室及工况下对应......
根据对器件散热特性的分析,提出用特定脉宽的瞬态热阻抗表征器件的稳态散热特性。测量了特定器件热阻与温度的依赖关系,建议在实际......
介绍了利用ＶＤＭＯＳＦＥＴ的寄生ｐｎ结二极管Ｄｓｄ作为温敏元件来测量功率ＶＤＭＯＳ管热阻抗的方法，给出了温敏参数中温度系数和几类功率ＶＤＭＯＳ管瞬态热阻抗的测量结果，讨论......
热阻是评价IGBT可靠性的重要指标。寻找简便高精度的测量方法对IGBT热阻进行测试具有十分重要的意义。根据JESD51—14中的瞬态热阻......
焊层空洞是造成IGBT模块散热不良和疲劳失效的主要原因之一。考虑芯片场环区的影响,建立了IGBT模块封装结构的三维有限元模型;研究......
脉冲功率技术是20世纪60年代发展起来的一个新兴技术领域,开关作为脉冲功率技术中的关键器件,其性能的好坏直接影响并制约着脉冲功......
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的瞬态热阻抗曲线可表征器件的退化状态，对器件损伤、寿命预测等研究有重大的意义。提出了基于光纤测温法测......
<正> 一、引言 电力半导体器件是高发热的电子产品,产品寿命和正常工作与产品工作结温（Tj）是否超过允许的最高结温(Tjm)密切有关。Tj......
在分析HVDC晶闸管最大故障电流与结温关系的基础上,建立瞬态热阻抗模型,提出了一种计算晶闸管温升的优化算法,并进行了仿真计算。......
瞬态热阻抗是表征IGBT模块热特性的重要参数,瞬态热阻抗的退化可以反映模块材料的退化,因此研究IGBT瞬态热阻抗的退化模型对IGBT状......
随着电力电子系统性能要求的不断提高,绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模块不仅要拥有高功率密度,还要......
高压脉冲晶闸管作为一种耐压高、通流大的半导体开关被广泛应用于脉冲功率领域。本文主要研究脉冲晶闸管的热特性,包括基于瞬态热......
功率VDMOSFET因其输入阻抗高,开关速度快和热稳定性好等独特的优点而在各种功率开关应用中越来越引起人们的重视,为了减小器件本身......
随着IGBT模块功率等级及密度的提高，因功率损耗而导致芯片温升加剧进而导致变流系统崩溃的问题愈发突出。对功率器件及散热系统的深......
