热壁外延相关论文
ZnSe具有禁带宽、直接带隙跃迁、激子束缚能大和能以任何比例组成任何合金等优点，又是熟知的发光、激光和光学非线性材料。因此......
ZnSe作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，具有禁带宽、直接带隙跃迁，激子束缚能大，光、电性能优良等优点，这使其成为蓝绿色发光、激光以......
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报道了采用热壁外延 (HWE)技术 ,在Si表面生长GaAs薄膜。先通过活化剂活化Si表面 ,再采取两步生长法外延GaAs单晶薄膜 ,最后进行断......
用热壁外延法(HWE)生长直径30mm的CdTe/CdZnTe/Si薄膜,经XRD测试说明它是晶面为(111)取向的立方闪锌矿结构.SEM对Si衬底、CdZnTe缓......
用热壁外延的方法,在清洁的玻璃衬底上外延生长了不同厚度的CdTe薄膜,对薄膜的本征吸收光学特性进行了全面的研究分析和测量.对玻......
该文报道以导电玻璃为衬底,采用热壁外延方法,制备GaAs多晶薄膜材料.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍......
采用热壁外延（Hot Wall Epitaxy，HWE）沉积系统在单晶Si（211）衬底表面制备了InAs薄膜，研究了不同生长温度（300℃、350℃、400℃、450qC和50......
<正> O484.1 95010481GaAs上热壁外延Cd8.96Zn0.04Te薄膜=Growth ofCd0.96Zn0.04Te films on GaAs substrates byhot wall epitaxy......
利用热壁外延(Hot Wall Epitaxy, 缩写为HWE )技术,在Si (111)和Si(100)衬底上外延生长PbTe 膜,并使用扫描电镜和转靶X 射线衍射仪......
本硕士论文选题于国家教育部跨世纪人才和国家自然资金（No.69890230）资助的项目“硅基GaN的外延生长及器件应用”的一部分研究工作。......
本硕士论文选题于国家教育部跨世纪人才和国家自然资金(No. 69890230)资助的项目“硅基GaN的外延生长及器件应用”的一部分研究工......
