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本文介绍以Si和SnO2／Glass两种材料为衬底，采用热壁外延的方法得到结构良好的，适合作GaAs太阳电池的GaAs多晶薄膜。采用电子探针（EPMA）测定薄膜的组份，表面与剖面形貌，X射线衍射（XRD）分析生长薄膜的结构，Raman散射（RSS）、光致发光光谱（PL）分析其光学性质，并且测定了薄膜的导电类型和方块电阻两个基本的电学参数。结构表明该薄膜性能良好，表面呈绒面结构，晶粒为柱状结构，适合制作GaAs薄膜太阳电池。全面分析了现有制备工艺条件对GaAs薄膜性能的影响，得出最佳的生长条件。 SnO2／Glass：源温为930℃，衬底温度为500℃，生长时间4小时 Si：源温为900℃，衬底温度为700℃，生长时间3小时