氮化钨相关论文
过渡金属氮化物具有许多优良的物理化学性质,但高质量的过渡金属氮化物合成非常困难.在合成过渡金属氮化物时,由于氮源的活性不高,......
本文利用程序升温反应合成了高比表面β-W2N,所合成的β-W2N的氮气吸脱附等温线呈Ⅳ型,并具有H3型滞后环,BJH孔径分布具有双孔分布......
随着人类社会的不断进步,对便携式储能设备的需求越来越多。电池和超级电容是其中使用最为广泛的,超级电容由于功率密度高,稳定性......
采用软模板法制备了氮化钨-钨/掺氮有序介孔碳复合材料(WN-W/NOMC),作为一种高比表面积且价格低廉的阴极氧还原反应催化剂.通过适......
高强高硬的超细晶WC-Co硬质合金被广泛用于切削刀具、矿山机械和耐腐蚀部件等领域。WC-Co硬质合金中WC的晶粒大小及均匀性在很大程......
电催化技术为解决环境和能源问题提供了契机。高效催化剂的设计是电催化反应的核心。相对于经典Pt基催化剂来说,过渡金属氮化物价......
钨系材料在国防和高技术领域占有重要、独特的地位，由于其高熔点特性，钨系材料的应用依赖于高温粉末冶金方法，粉体原料的细化乃至纳米......
以钛酸四丁酯及γ-Al2O3为原料，采用溶胶凝胶法制备了不同TiO2质量分数的TiO2-Al2O3复合载体。复合载体经负载偏钨酸铵后在500C下焙......
光解水技术可以将太阳能转换存储为化学能，被视为解决全球性能源与环境问题的理想方式之一。太阳能转换效率一定程度上取决于光催化......
本文用俄歇能谱、卢瑟福背散射、电流-电压和电容-电压等方法研究了射频磁控反应溅射制备的WN_x/n-GaAs肖特基势垒特性。结果表明,......
采用软模板法制备了氮化钨-钨/掺氮有序介孔碳复合材料(WN-W/NOMC),作为一种高比表面积且价格低廉的阴极氧还原反应催化剂。通过适......
提出了在SF6／CHF3等离子中反应离子刻蚀WN金属层的方法，通过对各工艺参数（功率、压力、流量配比等）对WN刻蚀钻蚀量影响的研究，优化了工......
在５５０℃用原子层外延生长了ＧａＮＵ单晶薄膜。在低温下生长的薄膜室温光致发光特性由带边发射所控制，其强度在１０００℃通过金属有机物化学汽相淀积生......
随着时代的发展,环境问题与能源问题也变得日益严重。因此,我们急需找到一种可再生的方式获得绿色安全的能源来缓解当前严峻的局面......
制备了加氢脱氮高活性催化剂Ｗ２Ｎ／Ｃ，探讨了氮化温度对催化剂活性的影响，考察了Ｗ２Ｎ／Ｃ催化剂上吡啶的加氢脱氮规律，提出了在该催化剂上吡啶加氢脱氮......
用程序升温反应合成了高比表面的氮化钨催化剂,并考察了氮化钨的合成路径.结果表明,高比表面的氮化钨具有明显的介孔特征,比表面达......
以偏钨酸氨为原料,采用喷雾干燥、焙烧、球磨和纯氨氮化工艺进行了氮化钨粉体制备研究.采用X-射线衍射仪、扫描电镜和激光粒度仪分......
W（N）薄膜具有高硬度、高熔点、高电导率等优异的物理性能以及稳定的化学性能。这些特点使其有着非常广泛的应用前景,具体可以应用于......
在磁约束核聚变装置中,长脉冲、高参数的等离子体运行,势必会超过靶板承受极限。金属钨具有高熔点、高溅射阈值和低燃料滞留等优点......
本文采用两种溅射系统:射频磁控溅射系统和S枪溅射系统淀积了氮化钨薄膜。X射线衍射方法(XRD)、俄歇电子谱(AES)和电学测量等方法......
严格的环保法规限定了燃料中硫的含量，要求对含硫燃料油的硫进行去除，目前工业上常用的方法是通过深度加氢脱硫（HDS）的方法降低油品中......
氮化钨是一种很重要的宽带隙半导体材料。与其他半导体材料相比,氮化钨的化学性质不活泼,并且具有很强的化学键,但是高键能也使得......
LDMOS功率管广泛应用于雷达探测领域,比如:机载、舰载、陆基相控阵雷达等领域。芯片电极是工作电流与微波信号的通道,也是整个LDMO......
锗(Ge)材料因其较高的载流子迁移率以及与硅工艺兼容的性质成为下一代高性能集成电路半导体MOSFE器件沟道的首选替代材料。然而金......
