pn结相关论文
随着半导体行业的发展,紫外光电探测器（UV PDs）在医疗、军工以及民用等领域有着广泛的应用,引起了科研工作者们的重点关注。Sn O2作......
随着电力电子器件的迅猛发展,从日常使用的家用电气、交通工具到航天航空,处处都体现着电力电子器件的身影,因此如何提高器件的击......
学位
在高压晶闸管器件的硅片参数设计时,制造过程中不同扩散工艺形成PN结的平坦性是重点考虑的因素之一。为了获得更优良的高压快速晶......
自石墨烯问世以来,二维材料家族迅速发展壮大。量子限域效应赋予了二维材料新颖的物理、化学性质,为二维材料在电学、光电、催化、......
范德华层状材料因具有带隙分布范围广、光吸收作用强、载流子迁移率高等优异的光电特性,在光电子器件领域受到了广泛关注。经过十......
在不同温度下,测量了PN结的正向伏安特性,采用非线性回归方法计算了PN结的反向饱和电流值,实验发现高频硅二极管的反向饱和电流与......
采用液相外延(LPE)生长的中波Hg Cd Te薄膜,基于B离子注入n-on-p平面结技术,制备了LBIC测试结构和I-V测试芯片并进行了相应的测试......
用多载流子模型分析了D型石英光纤的热极化过程及耗尽层的形成,分析了氢离子注入及钠离子耗尽层的形成。并把正负电荷的交界处类比......
研究了大功率LED芯片的伏安特性。基于LED芯片的特殊性,从经典的PN结伏安特性出发,进行理论推导并通过选择不同的基函数,构建出了......
本文从单晶制绒酸碱清洗出发,结合扩散制结工艺,分析阐述制绒清洗效果对电池片性能与外观质量的影响。结果表明:碱清洗中KOH与H2O2......
半个世纪以来,硅基半导体芯片凭借其低成本、小型化及良好的稳定性和扩展性等优势一直主导着整个电子信息产业,电子时代也逐渐向以......
柔性器件因其便携性、形状可变性、人体适用性等诸多优点,已成为国际前沿课题之一。研发柔性器件的关键在于柔性衬底的选择和pn结......
GaN作为第三代宽禁带半导体材料的代表,由于其禁带宽度大、临界击穿电场高、导热率高等优势,使其在功率半导体领域表现出巨大的潜......
氧化锌(ZnO)是一种宽禁带直接带隙氧化物半导体,室温下禁带宽度为3.37eV,由于本征缺陷存在而显n型。ZnO具有高室温激子结合能、高......
纳米金刚石（NCD）薄膜因其优异的性能,在力学、电学、电化学等领域具有广阔的应用前景。金刚石禁带宽度达5.47 eV,可应用于高温等极端......
本文的主要工作分为两部分：一部分是用机敏混凝土的压敏性进行钢筋混凝土结构中钢筋锈蚀监测：另一部分是用机敏混凝土pn结进行钢筋锈......
氢气传感器早已广泛应用于家庭生活、医疗卫生、能源及环境检测等众多领域。而SnO2作为一种应用最为广泛的气敏材料，一直是作为研究......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
随着高频功率二极管在电力电子装置的应用日益广泛，其由于PN结在导通变成截止状态过程中的反向恢复引起的各种负面现象也日益显著，其......
研究了产生PID组件在常温、高温、高湿和均匀电场环境下进行功率恢复性研究.通过加载1000V电压,对比组件功率在24H、48H和96H三个......
本文从专利视角对双面太阳能电池的专利申请量、申请人和分类号的分布等多方面进行统计分析，总结了与双面太阳能电池相关的国内和国......
利用MATLAB灵活丰富的绘图功能,在半对数坐标下画出了PN结的Ⅳ曲线.根据其形态,可以对PN结的性能作出定性判断.逼近该曲线所需的直......
晶体管在耗散功率时,结温分布一般不均匀.在晶体管子管并联模型的基础上,经过实验和理论模拟计算及验证发现:结温分布不均匀时,高......
用低能离子束轰击工艺制备了3～5μm及8～10μm碲镉汞pn结,研究了它们的电流-电压及电容-电压特性,发现该pn结为缓变结,与通常认为的关......
提出梳齿状pn结单晶硅太阳电池,通过计算机TCAD模拟的方法,对单晶硅太阳电池的梳齿状pn结结构对电池内部电流分布和电池效率造成的......
本文从势垒的角度 ,分析了金属结的非线性伏安特性 ,并将其作幂级数展开 ,讨论了金属结在单频和多频微波场激励下 ,由于再辐射特性......
本文介绍了两种热电偶冷端温度补偿电路在物理实验测量中的应用及校准方法，对热电偶的工作原理、冷端温度补偿必要性作了说明，并详细......
通过求解一维HgCdTe环孔PN结连续性方程,得到了恒定辐照下光生载流子浓度的一般表达式,并对结果进行了分析讨论.......
描述了电子元件"软击穿"现象,对元件"软击穿"内、外部原因作了初步分析,说明了"软击穿"工厂检查方法,是一篇经验交流文章.......
应用PN结电流电压特性关系，采用硅三板管接成共基极电路，由集成运放实现电流电压转换以实现弱电流测量．利用AT89S52单片机所具有的智......
利用半导体器件二维模拟软件数值模拟计算了不同上升时间的快前沿电磁脉冲对PN结的毁坏过程,对计算结果作了分析,得到了一维器件模......
介绍一种硅纳米线制作方法.在SOI顶层硅上制作硅纳米梁,通过离子注入形成pnp结构,利用新发现的没有特殊光照时BOE溶液腐蚀pn结n型......
本文根据PN结理论提出用PN结正向特性各种变化趋势来直接监控工艺质量。同时提出在特性曲线上直接测量单片电池总串联内阻的方法，比......
对一维情况下平面PN结的连续性方程进行了求解,给出了不同边界条件下光生载流子浓度的一般形式解,并对结果进行了分析讨论.......
作为一种禁带宽度可调的半导体，碲镉汞（MCT）至今仍是一种最有效的可在较宽波长（1～25gm）范围内工作的红外探测器。由于材料性质敏感，MCT器......
四探针薄层电阻测试仪具有量程选择方便、恒流源电流可调及数据读出迅速、稳定的特点。因此，本文结合半导体制程中扩散层薄层电阻测......
利用PN结正向压降温度特性实验组合仪,通过测量PN结的正向伏安特性,在PN结电流小于200μA情况下,采用非线性回归方法计算了电子电......
微机电系统（MEMS）倍受世界各国的重视。微驱动机构是微机电系统的动力核心。介绍一种以电磁波驱动PN结的微电机新驱动原理。......
采用薄膜技术研制了一种以硅PN结结构为基底材料的TiO2氧传感器，阐述了该传感器的工作原理、结构设计、工艺流程及其特性。给出了磁......
对用于仿生微纳导航系统的蓝紫光波段的光电薄膜进行了理论建模和特性分析。所建立的光电薄膜理论模型侧重于分析器件本身的结构和......
用多片具有不同金属钛膜厚度和充氚量的氚钛片对两种单晶硅基PN结型器件进行了辐照，在线测量了它们的电输出性能并进行了定性分析。......
本文从解决电子技术教学难点出发，综合考虑学生兴趣与学习质量，在实践检验了电子技术Flash课件教学效果基础上，介绍利用Flash MX器件......
本研究采用改进的光致开路电压衰退方法测量了不同组分Hg1-xCdxTe光伏探测器中光生少数载流子寿命。激发光源为脉冲YAG激光泵浦的......
采用突变结近似,对反向偏置下碲镉汞(HgCdTe)环孔PN结耗尽区电容的计算方法进行了分析和讨论,给出了若干条件下的计算结果,表明与......
