PECVD法相关论文
采用PECVD法在晶体硅太阳能电池表面上镀上一层氮化硅减反射膜，通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SH4/NH3的比、总气体流量......
在100℃和300℃用PECVD法制备Si基SiO薄膜.通过改变SiH和NO气体的配比及流量,调整SiO的折射率和沉积速率.用棱镜耦合器测定SiO的折......
SiC薄膜具有宽禁带、耐高压、耐高温、耐腐蚀、高机械强度等优点，不仅适合应用在高频大功率高温电子器件的制备，也可以用SiC代替Si制......
根据磁场对带电粒子的约束原理，本文采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)技术借助于磁场约束电子以提高气体分子的离解率......
用PECVD法直接沉积的非晶硅(a-Si∶H)薄膜在中温情况下光退火,然后用XRD、Raman光谱和SEM分析,发现晶粒大小随退火温度和退火时间......
有机电子器件封装要求轻、薄、柔的薄膜封装，主流的封装结构和实现方法有：(1)有机(印刷)/无机(蒸镀)交替结构，(2)有机(PECVD)/无......
等离子增强化学气相淀积法(PECVD)制备的氮化硅薄膜具有沉积温度低、生长速率高、残余应力可调节等特点,在微电子机械系统(mic......
通过PECVD法在不同条件下直接沉积非晶硅(a-Si：H)薄膜，然后用光退火方法对非晶硅薄膜二次晶化，然后用Raman光谱和SEM分析对比，研究非晶......
纳米非晶硅(hydrogenated nano-amorphous silicon，na-Si：H)因具有类似非晶硅(a-Si：H)的高光吸收系数(达10~5数量级)和光敏性，同时又具......
高效率低成本的晶体硅太阳电池的制备对于大规模利用太阳能发电有着十分重要的意义。制备性能优良的减反射钝化薄膜是生产高效率低......
为了进一步推进非晶硅薄膜太阳电池的产业化,人们提出利用非晶硅、微晶硅与硅锗材料形成三结电池结构以达到提高效率、降低衰退的......
TiO 2 nanoparticle film catalysts with different thicknesses were prepared by plasma enhanced chemical vapor depositio......
采用PECVD法制备了低介电常数薄膜a-C:F,研究了薄膜沉积速率与温度及射频功率的关系,测量了不同沉积条件下薄膜的介电常数,并用FTI......
采用H2稀释SiH4和PECVD工艺，在严格控制衬底温度、射频功率、SiH4／H2气体分压比、反应室平衡气压和直流负偏压等各种工艺参数条件下，......
通过PECVD法,用玻璃作衬底在200,250,300,350,400,450℃下直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,并在避光状态下贮存3个月,把前后样品用拉曼......
在玻璃衬底上采用常规的PECVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗粒(直径>100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜.选用的反应气体为......
Amorphous silicon nitride films were deposited by low-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition(LF-PECVD) usin......
对等离子体增强化学汽相淀积法制成ＳｉＯｘＮｙ，薄膜组成的ＭＩＳ结构样品，由集成测试系统测量Ｉ－Ｖ特性，用晶体管特性图示仪测试击穿行为。分析研究了该薄膜......
采用PECVD方法刚淀积出的TiSi_x薄膜,x在0.9～2之间,电阻率大于100μΩ·cm;经650℃以上的高温退火,x变为2,电阻率降至20μΩ......
本文报道了用PECVD法制备硅化钛膜,经750℃、30min退火后,最低电阻率达23.8μΩ·cm。经AES分析表明,退火后硅和钛的组分比为2......
本文报道的研究结果表明,PECVD硅化钛膜的组份强烈地依赖于SiH_4/Ar流量比;其结构的稳定性随退火温度和时间的增加而增加;其腐蚀特......
利用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法，以硅烷和乙烯为反应气体源在适当淀积条件下制备出在紫外光激发下可发绿光（光致发光谱峰值波长约......
本文研究了在低温（430℃）下用PECVD法淀积的SiO<sub>x</sub>N<sub>y</sub>H<sub>z</sub>薄膜的直流电导特性。实验证实这种薄膜即使......
在ＰＥＣＶＤ法低温制备优质薄膜技术中，发迹衬底温度，反应室气压，混合气体组合，动用退火致密工艺，制备ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜样品。采用椭偏仪测量该薄膜的折射......
在PECVD法制备的a-SiOxNy薄膜中首次观察到分立能级的红光发射，采用荧光激发谱研究了发光能级与其它能级之间的相互关系，建立了产生......
本文提出量子态模型。发现在制备多晶硅薄膜过程中沉积温度、衬底、射频功率、氢稀释比、磷掺杂等沉积参数、多晶硅薄膜晶粒大小，以......
在ＰＥＣＶＤ法低温制备优质薄膜技术中，改变衬底温度、反应室气压、混合气体组份，过以用退火致密工艺，制备富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜样品，采用准静态Ｃ－Ｖ和高频......
研究了等离子体增强化学气相淀积法制备ＳｉＯｘＮｙ膜工艺中混合气体配双与薄膜中氮、氧含量间的变化关系以及对膜层折射率、介电常数的影响。......
用ＰＥＣＶＤ方法制备出二氧化锡薄膜，利用双探针技术诊断出等子体反应器内电子密度的分布，并分析了它对薄膜电阻的影响，透射电镜分析表明随沉积......
研究了用作薄介质栅的等离子体增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法低温形成的ＳｉＤｘＮｙ薄膜与其电学特性。探索该薄膜电学特性与微观组分，反应室气压，衬底工......
等离子增强化学气相淀积ＳｉＮｘ薄膜在微电子和微机械领域的应用越来越重要。它的一个重要的物理参数－机械应力，也逐渐被人们所重视。本文研......
<正>非晶态半导体材料是一种新型的电子材料,由于它具有特殊的物理性质,使非晶态半导体研究成为较热门的课题之一.对氢化非晶硅(α......
一、引言用活性等离子体制备多样的、具有明显不同性质纯的和合金炭,有着重大的意义,除制备常规的石墨型外,PECVD法(等离子体增强......
采用等离子体增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法在４０Ｃｒ钢（含Ｃｒ０．８％￣１．１％）或铜等金属基片上沉积氮化硅薄膜。沉积温度为２５０℃时，制备的薄膜厚度为０．２￣０．４μｍ，电阻率为８×１０＾１６Ω&#......
本文报导了使用PECVD方法沉积的α-C:H溥膜的工艺条件、薄膜结构和物性之间的联系。指出,α-C:H膜中石墨和金刚石成分的比值密切相......
采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法在玻璃衬底上制备出非晶硅薄膜，利用正交试验法对射频功率、气体总压、硅烷比例、沉积时间......
本文采用PECVD技术制备了SiO_xN_y薄膜。用光电子能谱仪和红外光谱仪等对薄膜的结构、组成和其它物理性质作了测量。对温度、功率......
通过PECVD法于不同温度直接沉积非晶硅（a-Si：H）薄膜，选择于850℃分别退火2h、3h、6h、8h，于700℃分别退火5h、7h、10h、13h，于900℃分别......
本文报道用微波等离子体沉积／原子氢处理交互进行方法低温制备多晶硅薄膜及其结构特征和光电特性。Ｘ光衍射（ＸＲＤ）、透射电镜（ＴＥＭ）、光吸收、光电......
