InN薄膜相关论文
该文首先介绍了宽带隙半导体中基本光学过程,着重分析了能带带间包括能带带尾之间的跃迁,还介绍了其晶格振动和拉曼散射特性,同时......
该文的主要内容为新型半导体氮化铟(InN)薄膜的晶格振动(声子)特性研究.InN在光电子和微电子器件领域有很好的应用前景,其光学和电......
该论文介绍了椭偏光谱技术的反射和透射两种测量分析方法.利用了椭偏光谱的反射方法分析测量了几种光电薄膜材料的光学常数谱和薄......
利用磁控溅射技术在蓝宝石(Al2O3)衬底上制备了InN薄膜。纯金属铟为靶材，溅射气体为Ar，反应气体为N2。用X射线衍射仪、扫描电子显微......
本文的主要内容为新型半导体氮化铟（InN）薄膜的光学性质。InN在光电子和微电子器件领域有很好的应用前景，其光学和电学性质研究显得非......
InN半导体电子迁移率、饱和漂移速率和渡越速度较高、带隙和电子有效质量较小，在未来高速高频厘米和毫米波电子器件、太赫兹辐射器......
通过变温 (10— 30 0K)暗电流特性研究了射频磁控溅射法生长在半绝缘GaAs (111)衬底上的六方InN薄膜的载流子输运过程 .在晶界势垒......
摘 要：InN材料具有最小的有效质量和最高的载流子迁移率、饱和漂移速率，低场迁移率，是重要的半导体材料。该研究论文以价格低廉的普通......
半导体材料的非线性光学特性在光电子器件领域,如全光开关、光学限幅器、光波耦合器等方面有很好的应用价值。非线性光学材料已持......
