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InN粉末相关论文
氮化铟粉末在N2气中的热稳定性
用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR)对InN粉末在N2气中的热稳定性进行了分析。结果表明:当温度超过600℃时,一部分InN粉末被氧化;但当......
期刊
热稳定性
N2
InN粉末
分解
IN2O3
Thermal behaviors
N2
InN powders
dissociated
In2O3
氮化铟及氮化镓的制备及特性研究
InN是一种十分优越的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,是当前世界上最先进的半导体材料之一。室温下,InN的禁带宽度为0.7eV,由于在所有的......
学位
InN粉末
InN薄膜
GaN
磁控溅射
氮化
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