ZnTe晶体相关论文
在77—300K温度范围内,用N_2分子激光器的3371谱线激发未故意掺杂的p型ZnTe晶体,得到了与自由激子有关的发射。发现随着激发密度的......
用Zn粉和Te粉为源材料，利用水热法在不同条件下制备了ZnTe纳米粉．用X射线衍射仪、透射电子显微镜和显微Raman光谱仪对ZnTe纳米粉进行......
Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体ZnTe在Ar~+离子轰击下产生严重的辐照损伤,辐照产生的缺陷可在电子束的照射下部分回复。回复过程受入射电子束......
半导体材料的非线性光学特性在光电子器件领域,如全光开关、光学限幅器、光波耦合器等方面有很好的应用价值。非线性光学材料已持......
