霍尔测试相关论文
采用飞秒激光在六氟化硫气氛中对硅表面进行扫描,在硅衬底上制备了具有超饱和重掺杂的黑硅薄膜.采用变温霍尔测试方法,在30-300 K......
采用金属有机化学气相沉积技术在半绝缘InP衬底上制备了ZnO薄膜。在富氧及高温的生长条件下,衬底中的P原子通过热扩散进入ZnO薄膜......
用真空电子束蒸镀的方法制备氧化铟锡(indiumtin oxide,ITO)薄膜,制作了以300nmITO为窗口层的新型AlGaInP红光LED。在氮气环境下,......
本文利用迁移率谱技术分析了离子束刻蚀后的碲镉汞材料,发现p型碲镉汞材料在刻蚀后完全转为n型,且由两个不同电学特性的电子层组成......
研究了RTCVD 设备参数如：温度、反应气体流量、沉积时间对多晶硅薄膜的性能的影响，通过扫描电镜（SEM）、X 射线（XRD）、霍尔测试及电池模拟......
为研究在ZnSe单晶中Al杂质的行为，在700℃～900℃温度范围内，把Al热扩散到ZnSe晶片中，然后用霍尔测试，光致发光光谱及深能级结电容瞬态谱......
设计并使用分子束外延(MBE)方法制备了不同帽层厚度、不同掺杂浓度的双平面掺杂GaAs PHEMT外延材料,采用不同工艺手段控制InGaAs沟......
采用改进的垂直布里奇曼法(MVB)分别生长了A1掺杂和In掺杂的Cd0.9Zn0.1Te晶体,并对比分析了掺杂元素对晶体性能的影响.在相同的工......
分别用金属In和Ti／Al／Ni／Au合金层制备GaNHEMT结构外延片的霍尔测试电极，并对样品进行霍尔测试。发现In金属与外延片形成非欧姆接触，Ti／A......
采用磁控溅射法在石英玻璃基片上生长ZnO和ZnO2Ag薄膜。借助于SEM、XRD、霍尔测试、透射谱测试等方法，分析了02气氛下退火温度对薄......
采用改进的垂直布里奇曼法（MVB）分别生长了Al掺杂和In掺杂的Cd0.9Zn0．1Te晶体，并对比分析了掺杂元素对晶体性能的影响。在相同的工艺条......
为了提高InAs/GaSb超晶格探测器性能和工作温度,研究了超晶格吸收层载流子输运性能。利用分子束外延在半绝缘GaAs衬底上生长InAs/G......
本文对含氮ＣＺ硅单晶中的氧施主进行了探讨，测试样品是６５０℃下处理的含氮ＣＺ硅单晶在７００℃的温度下继续热处理。通过变温霍尔测试发现，材料中除了......
通过在不同日期，相同测试条件下霍尔测试同－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ／ＣｄＺｎＴｅ外延晶膜的电学参数，发现其电学参数随时间的不同而不同。根据Ｐｅｔｒｉｔｚ＾「１」的双层模型用计算机进行......
利用SIMS和变温霍尔测量手段对p型Hg0.77Cd0.23Te液相外延材料的Ag掺杂技术、机理及掺杂碲镉汞材料的性能进行了研究.结果表明采用......
窄禁带碲镉汞为电子和空穴混合导电的多载流子体系材料。两个温度点的霍尔测试并不能很好的表征碲镉汞材料的性质。本文先通过变温......
采用飞秒激光在六氟化硫气氛中对硅表面进行扫描,在硅衬底上制备了具有超饱和硫重掺杂的黑硅薄膜。采用变温霍尔测试方法,在30~300......
在4H-SiC中进行Al离子注入,并进行了二次高温退火技术研究。样品中Al离子的注入浓度为3×10^19cm-3,对样品进行首次高温退火工......
GaN和相关的Ⅲ-Ⅴ族氮化物已经在蓝光波段和紫外光波段得到了开发和应用,目前正向着高温大功率电子器件方向发展。在开发器件过程......
窄禁带半导体Hg1-xCdxTe是目前制备红外探测器最重要的半导体材料之一。碲镉汞红外探测器在遥感、夜视、通讯和监测等领域发挥着重......
本文主要研究内容是GaSb的同质/异质外延生长和材料的表征和物性分析,利用同质外延指导异质外延的生长。具体如下：采用分子束外延在......
设计并使用分子束外延（MBE）方法制备了不同帽层厚度、不同掺杂浓度的双平面掺杂GaAsPHEMT外延材料，采用不同工艺手段控制InGaAs沟道异......
