二次离子质谱(SIMS)相关论文
利用自蔓延法进行SiC粉料合成、物理气相传输法进行6英寸(1英寸=2.54 cm)高纯半绝缘(HPSI) SiC晶体生长.采用高温下通入HC1和H2的......
采用物理气相传输(PVT)法进行高纯半绝缘SiC晶体生长,利用高温真空解吸附以及在系统中通入HC1和H2的方法,有效降低了系统中N、B和A......
通过二次离子质谱仪 (SIMS)研究了Mo在Zr57Nb5Cu1 5 4 Ni1 2 6 Al1 0 非晶合金中的扩散 ,并计算出其扩散激活能Q和前置系数D0 分......
期刊
毛发对人体微量元素有一定的蓄积效应,且作为一种无创生物检材,在核取证、环境监测、职业暴露检测、医学等领域逐渐受到重视。目前......
为提高二次离子质谱仪（secondary ion mass spectrometer,SIMS）的灵敏度,引入了飞秒激光电离一次离子轰击溅射产生的二次中性粒子。......
为了解决2英寸低阻掺硅砷化镓单面抛光片在MOCVD中“白斑”、“暗斑”的质量问题，从不同公司加工的同一规格的抛光片中取样，分别进行......
二次离子质谱是目前测定高精度珊瑚微区原位氧同位素组成的唯一技术手段。本实验从取样的厚度和深度两方面探讨了制靶技术对珊瑚氧......
近10多年来LA-ICPMS锆石U-Pb定年技术得到迅速发展和应用,其特点是成本低、分析速度快,U-Pb定年的内部精度可以优于1%,但其外部重......
提出了一种基于硼酸溶液的GaAs/InP低温晶片键合技术,实现了GaAs/InP基材料间简单、无毒性的高质量、低温(290℃)晶片键合。GaAs/I......
二次离子质谱(SIMS)是离子质谱学的一个分支,也是表面分析的有利工具。该方法能检测出微小区域内的微量成分,绝对检出限10-13—10-......
在4H-SiC中进行Al离子注入,并进行了二次高温退火技术研究。样品中Al离子的注入浓度为3×10^19cm-3,对样品进行首次高温退火工......
本文从ESCALABMKⅡX射线光电子能谱仪的分析特点出发，阐明了该仪器的结构特点及多发性故障的处理技术，并以冷却水循环系统的X射线源......
结合实例,回顾并展望了电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)、热电离质谱(TIMS)和二次离子质谱(SIMS)技术的应用进展,特别是在核工业领域......
提出了SiC基MEMS压敏电阻的制造工艺,在4英寸(1英寸=2.54 cm)偏向<1120>的4H-SiC晶片同质外延生长了高质量的n型和p型外延层,并且......
