物理气相传输(PVT)法相关论文
利用自蔓延法进行SiC粉料合成、物理气相传输法进行6英寸(1英寸=2.54 cm)高纯半绝缘(HPSI) SiC晶体生长.采用高温下通入HC1和H2的......
采用物理气相传输(PVT)法进行高纯半绝缘SiC晶体生长,利用高温真空解吸附以及在系统中通入HC1和H2的方法,有效降低了系统中N、B和A......
采用平行及垂直配置下的偏振散射装置,对物理气相传输（PVT）法同质籽晶生长的六方AlN晶体进行偏振喇曼研究,测量了激发光偏振方向与光......
CdS单晶是一种电学和光学性能优异的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙半导体材料,近年受到人们的广泛关注。但是大尺寸CdS单晶在生长过程中易形成孔......
期刊
