结势垒肖特基二极管相关论文
SiC功率器件是许多航天器用电子设备的重要组成部分，是保障深空探测任务顺利进行的前提和基础。在梳理SiC功率器件发展概况的同时，针......
第三代宽禁带半导体材料氮化镓（Gallium Nitride,Ga N）具有高击穿电压、高电子迁移率、高热稳定性等诸多优良特性,是制备功率器件非......
碳化硅（Silicon Carbide,SiC）作为第三代半导体的代表,具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子迁移率和高热导率等特性,是制作功率器件......
传统Si基快恢复二极管(FRD)在应用时由于反向恢复电流大、漏电流高等问题限制了电力电子电路的性能提升。基于此,提出了一种4H-SiC......
第三代半导体碳化硅(Silicon Carbide,SiC)具有宽禁带、高临界电场、高热导率等优良的材料特性,SiC功率器件具有耐高温高压、低自......
碳化硅(SiC)是近年迅速发展起来的第三代半导体材料的代表，与传统半导体材料硅(Si)相比，其在击穿电场强度、载流子漂移速度及热导率......
基于碳化硅材料的结势垒肖特基二极管(SiC-JBS)因其良好的散热特性、较高的击穿电压及较低的导通电阻等优点，已经在大功率整流、逆......
为了弥补传统肖特基二极管漏电流大和反向耐压低的不足,采用栅条P＋-N结和肖特基结嵌套形成结势垒肖特基二极管（JBS）,终端结构由7道场......
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基（JBS）二极管,耐压达到1200V,封装的器件电流室温达到5A（正向压降2.1V）。通过在不同......
在76．2mm4H—SiC晶圆上采用厚外延技术和器件制作工艺研制的结势垒肖特基二极管（JBS）。在室温下，器件反向耐压达到2700V。正向开启电压......
通过器件模拟仿真软件Sentauras和高分辨率透射电子显微镜HRTEM（High-Resolution Transmission Electron Microscopy）研究了4H-SiC结......
设计了一种阻断电压4 500V的碳化硅（SiC）结势垒肖特基（JBS）二极管。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度和厚度以及终端保护效率......
为了进一步提高SiCJBS的反向击穿特性和BFOM值，对POP型SiCJBS结构进行了重要改进。虽然它们都是采用外延的方法在一个较窄的轻掺杂P......
为满足轨道交通电力牵引应用对高压SiC二极管器件的需求,对4H-SiC器件有源区采用了不同JBS栅条参数设计,并通过TCAD仿真对比分析了......
随着绿色高效能源转换的迫切要求和电力电子技术的不断发展,以硅材料为基础的传统电力电子器件的物理局限性日益显现,严重制约了器......
由于碳化硅(SiC)外延材料中缺陷的影响,目前SiC结势垒肖特基(JBS)二极管实际性能仍低于理论预期。通过4H-SiC外延材料生长和表征、......
SiC功率器件具有高频、高效率、耐高温、抗辐射等优势,介绍了目前SiC功率器件应用情况,阐述了SiC-JBS以及SiC混合IGBT的特性,分析......
第三代宽禁带半导体SiC材料因具有良好的电学和物理特性而被广泛地研究和应用。和传统的Si、Ge相比,高的临界击穿电场和更高的热导......
通过理论计算、仿真与实验验证的方式研制出3.3 kV/50 A 4H-碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管芯片。芯片漂移区厚度33μm,掺杂......
Si IGBT与SiC MOSFET并联组成的Si/SiC混合器件(HyS)因在功率变换器中提供了一种成本与性能的优化折衷而受到广泛关注。其中,SiC M......
随着应用环境的不断变化,传统硅基器件的应用已经接近其理论极限值,不能满足日益提高的应用要求,因此必须研究新的半导体材料。第......
随着半导体技术的发展以及集成电路制造工艺的进步,人们对功率半导体器件提出了新的要求,即低正向压降、低反向恢复时间、低功耗、......
碳化硅（SiC）以其优越的性能成为制作高频、抗辐照、耐高温、功耗小及大功率电子器件的理想半导体材料。结势垒肖特基二极管（JBS）结合了......
为增强器件的反向耐压能力,降低器件的漏电功耗,采用Silvaco TCAD对沟槽底部具有SiO2间隔的结势垒肖特基二极管（TSOB）的器件特性进行......
