纳米硅相关论文
为探究纳米硅对低温下番茄根系构型及碳水化合物积累的调控机制， 以番茄品种‘中杂9号’为材料， 通过基质盆栽试验， 研究了施用纳米硅......
用砂磨机匀浆并旋蒸干燥、预炭化、炭化制备了硅酸锂人造SEI膜硅/炭负极材料。通过XRD、SEM等研究了所制备材料的结构与形貌,通过......
基于纳米硅材料的新型电子器件、光电子器件等展现出良好的发展前景。当前一个具有重要研究意义的课题就是如何进一步调控纳米硅材......
在过去的几十年里,电化学储能设备的市场在便携式电子设备领域迅速增长。为了满足电力需求,人们对开发高能量密度锂离子电池产生了......
本工作采用螺旋波等离子体化学气相沉积技术制备了富硅氮化硅薄膜,利用拉曼散射谱（Raman）、傅立叶变换红外吸收（FTIR）谱、透射电子显微......
采用射频(RF)等离子体增强化学气相沉积系统制备了硅/二氧化硅多层膜样品,在异质结限制性晶化作用下得到了尺寸均匀的磷/硼共掺杂......
硅以具有己知元素中最高的嵌锂容量成为锂离子电池负极材料研究的热点之一.但是,硅在嵌脱锂过程中的巨大体积膨胀(～300％)制约了其在......
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)系统制备了一系列不同硼掺杂浓度的氢化非晶硅薄膜。然后对原始样品进行800℃退火......
作者做了大量三轴试验,首次把纳米硅粉用作水泥土的外加剂,研究了纳米硅水泥土在单轴应力下的变形和破坏过程;分上升段和下降段用......
本文报道在高氢稀释(RH=100)和低衬底温度(Ts=50～150℃)条件下,用PECVD制备得到纳米硅(nc-Si)薄膜,纳米硅(nc-Si)薄膜微结构、光学......
本文报道纳米硅P层对n-i-p型非晶硅(a-Si:H)电池性能特别是开路电压(Voc)的影响。Raman散射和透射电镜(TEM)分析表明，这种P层是复相......
硅基薄膜太阳电池技术的研发和生产在近十年来取得了显著的进步,本文简要介绍了硅基薄膜光伏技术,对目前的非晶硅及硅锗合金太阳电......
使用第一性原理对1.6nm 的Si 粒子在0 K 时B/P 不同掺杂位置和不同掺杂量进行模拟,并对能带、电子状态密度图以及体系能量进行分析......
为了探究不同骨料对掺微硅和纳米硅砂浆强度的影响,本研究用河砂、优质石英砂、重晶石砂分别作为细骨料,制备水胶比为0.2,掺5％微硅......
近年来,硅基的非线性光学器件取得了重大进展,如硅基拉曼激光器、放大器、信号发生器、光开关和波长转换器等器件相继研制成功,极......
陷光效应可有效提升薄膜光伏太阳能电池的效率,并能降低光吸收层的厚度,从而降低电池的生产成本.目前,具有陷光效应的前电极在薄膜......
N型纳米SiOx薄膜用于硅基薄膜太阳电池的n层,与传统的a-Si n层或a-Si/nc-Si双层结构的n层相比,SiOx层具有更小的光吸收.同时低折射......
提出了在a-SiNx/a-Si:H/a-SiHx三明治结构或a-Si:H/a-SiNx多层膜结构中纳米硅成核、并且限制性生长从球形到鼓形的过程.基于经典热......
采用等离子体氧化技术和逐层(layer-by-layer)生长方法在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中原位制备了纳米硅(nc-Si)浮栅存储......
本文运用宾夕法尼亚大学开发的AMPS 软件，模拟了采用不同晶化度的nc-Si作P-I-N结构太阳电池的I层的性能；研究了不同I层厚度的情况下......
近年来，安徽砀山酥梨炭疽病大量暴发，仅2008年，该病造成直接经济损失超过6.1亿元，损失相当严重。笔者在化学药剂筛选的基础上，采用菌丝......
针对共轭聚合物光伏材料存在载流子迁移率低、太阳光谱吸收范围窄等不利因素，研究纳米硅与共轭聚合物形成的无机/聚合物杂合的pn结......
用脉冲激光制备纳米硅的过程中，在Purcell腔中会形成等离子体晶格结构，这是等离子体激元与光子相互作用的结果，其形成的等离子体晶格......
随着锂离子电池应用领域的拓展及性能要求的不断提高,高容量的电极材料已成为人们研究的热点。硅的理论嵌锂容量为4200 mAh g~(-1)......
硅(Si)材料因其高理论比容量、低脱锂电位、储量丰富和环境友好等特性被认为是最具潜力的下一代锂离子电池负极材料。然而，在实际应......
采用化学气相沉积法,通过在纳米硅表面原位制备碳层而获得具有坚固核壳结构的nano-Si@C锂离子电池负极材料,该材料能有效克服硅负......
为探讨纳米硅对盐胁迫下甜椒幼苗生长的调控效应,试验以甜椒品种3964为接穗、碧丽纳为砧木,以150 mmol/L的NaCl模拟盐胁迫环境,通......
利用O2等离子体氧化单晶硅衬底的方法制备SiO2薄膜作为隧穿势垒,利用laverbylayer方法在SiO2隧穿势垒上原位制备纳米硅(nanocrysta......
将纯净石墨粉置于无水惰性气体中,然后将体积比为2:1的聚硅氧烷/甘油混合溶液滴入纯净石墨粉中,密封并加热至290~310℃,并保持此温......
<正> 纳米硅薄膜(nc-Si:H)是由纳米尺寸超细微晶粒构成的一种纳米材料。其晶粒所占体积百分比为50％,其它50％则为大量晶粒之间的界面......
基于对实验和理论的分析，提出一种异质结量子点隧穿（ＨＱＤ）模型，并导出了纳米硅薄膜电导率完整的表达式．其主要思想是，纳米硅薄膜中的微晶粒（几......
<正>固体纳米材料已被认为是当前极有发展前景的一种人工功能材料.许多先进国家皆已把它列为21世纪重大课题而给予重视.我们使用了......
纳米硅具有明显的光致发光效应和量子尺寸效应,广泛的应用在现代电子工业和太阳能光伏工业中.尺寸影响着纳米硅的实际用途,因此制......
采用等离子体化学气相沉积技术,通过交替改变H2流量,制备了多层结构的氢化初始晶硅薄膜,利用拉曼(Raman)散射、傅里叶变换红外(FTI......
采用双槽电化学腐蚀法制备了纳米多孔硅,主要研究了腐蚀时间和腐蚀电流对重掺杂p型(100)硅衬底上制备的多孔硅层有效光学厚度的影......
采用酸浸蚀Al-Si合金的方法制备了多孔纳米Si,并用其制作以石墨烯为导电材料的石墨烯/多孔纳米Si负极.SEM和TEM的分析表明两者混合......
用扫描隧道显微和光致发光方法，观察了发光多孔硅的微结构形貌．发现多孔硅的光致发光主要源自其最表面层；该层是无定型的，但又不同于一......
采用三极管型等离子体增强化学汽相淀积（TriodePECVD）系统，适当选取硅烷（SiH4）和氢气（H2）流量比制备纳米硅（nc-Si：H）薄膜．保持栅极偏压为－100V，......
研究了激光ＣＶＤ合成纳米硅（平均粒径为１４ｎｍ）的可见发光特性。用３００－４５０ｎｍ波长激发时，在４００－６５０ｎｍ区间观测到了发射宽峰。首次发现粒径大于１０ｎｍ的纳米硅在室温下具有可......
本文研究和讨论了多孔硅的制备及电致发光，并对多孔硅制作欧姆接触作了一些改进，对多孔硅在信息显示中的应用做了展望。
In this pa......
