窄沟道效应相关论文
扫描隧道谱研究半导体硅掺杂吴敬文,陈浩,丁德胜,陆祖宏,韦钰(东南大学生物医学工程系南京210018)集成电路的集成度正以惊人的速度每年递增,目前......
用数值方法与解析方法相结合,导出了非均匀掺杂衬底MOST阈值电压的解析模型。该模型在形式上类似于SPICE程序中的MOST模型,但是所有参数都用数值方......
本文采用渐变沟道近似和准二维分析的方法,通过求解泊松方程,建立了应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型.模型同时研究了短沟道,窄......
目前 ,NEC首次采用抑制过度加速扩散法抑制 0 1μmCMOS反向窄沟道效应。在低电源电压化、高集成化进展的先进LSI中 ,晶体管的微细化是最重要......
根据电路结构、版图特点及速度要求,采用E/D N-MOS制造技术,研制出16位微机CPU电路.器件性能达到了国外同类产品指标,可互换使用.
......
根据电路结构、速度要求,我们研制了Z-80CPU,实测了器件性能,并与国外同类产品作了比较.器件的典型工作频率为4MHz,功耗为500mW.
......
. . 工 作 报 告 . 期MQSj器件的窄沟道效应…………………………………………………………………(2)甩于ECL超高速电路的磕薄层外......
本文系统地评述了几种SOI 技术及其研究进展。从材料、器件、VLSI 系统结构与设计、可靠性和应用等方面讨论了SOI 技术的潜力和存......