场发射特性相关论文
采用水热法在ITO玻璃基底上制备了氧化钡纳米棒,以此作为场致电子发射的冷阴极材料.并对材料进行了扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)......
以玻璃为基底,采用射频等离子体增强热化学气相沉积法合成了碳纳米管。在450℃、在氮气/氢气气氛中加热和活化镍膜,然后在氮气/乙炔中,......
催化热解法生长出的CNTs阵列含有无定型碳以及包裹于其中的铁颗粒,形成屏蔽层而影响了CNTs电子发射能力.纯化CNTs是该研究工作中的......
本文研究了用涂敷法制备碳纳米管场发射阴极的工艺,热解法获得的碳纳米管经过研磨,再与粘合剂、有机溶剂混合,直接涂敷在硅基底上,......
本文通过在金刚石薄膜表面蒸镀纳米量级金膜作为栅级的方式,在低于10V的电压下观察到金刚石薄膜的场发射,共发射电子的发散角度小......
通过热蒸发的方法,在520℃和比较大的氧分压条件下,直接制备了一种多针状纳米氧化锌结构.该结构生长的机制是气-固(VS)生长机制.X......
本文研究了用涂敷法制备碳纳米管场发射阴极的工艺,热解法获得的碳纳米管经过研磨,再与粘合剂、有机溶剂混合,直接涂敷在硅基底上,......
Carbon nanotubes(CNTs)were grown into anodic aluminum oxide(AAO)channels by chemical vapor deposition(CVD)using C2H2/N2m......
ZnO纳米线具有优良的场发射特性,在大面积平板电子源具有重要应用前景.其中,使用ZnO纳米线冷阴极的平板X射线源具有低功耗、寿命......
纳米金刚石是一种重要的场发射材料,因其具有很多优良的性质,在很多情况下具有很好的应用前景,故仍然一直受到研究者的关注。本文......
用水热法以醋酸锌和氨水为原料制备花状氧化锌薄膜.SEM显示样品为带花蕾的多瓣型形貌,XRD测试样品为高纯度的六角纤锌矿结构.研究......
以甲烷和二氧化硅纳米球为源,铁作催化剂,成功制备了长径比达200的碳化硅/二氧化硅核壳结构一维纳米线,分析了纳米线的合成机制,并......
在硝酸锌/HMT溶液体系中加入氨水及氯化铜,采用水热法制备Cu掺杂的ZnO纳米棒阵列膜.研究发现,氨水和Cu2+离子均可抑制ZnO纳米棒......
石墨烯是由碳原子六角结构(蜂窝状)紧密排列构成的二维单层石墨,具备优良电学性能,导热性能,还具有极高的机械强度和稳定性以及优......
由于具有导电导热性好、力学强度高、长径比大、结构稳定等特点,碳纳米管被认为是很有前途的电子发射材料,其电子发射特性已被广泛......
文章采用四极质谱实时分析的方法研究了纳米场发射阴极器件在工作过程中的放气特性。研究结果表明:纳米氧化锌阴极工作时器件内......
由于阴极材料在场发射显示屏的发展和应用中占据重要地位,使得阴极材料的场发射特性研究变得十分重要,对阴极材料的探索研究也成为......
最近一种sp、sp2和sp3三种杂化而成的单原子层结构的二维碳同素异形体石墨炔薄膜已通过化学方法被科研工作者合成出来。石墨炔被人......
自石墨烯问世以来,因其具有杰出的光、电、热、机械、磁学特性以及独特的量子霍尔效应等而受到广泛关注。石墨烯也因此在高速晶体管......
一维纳米材料具有许多独特的性能,成为制备场发射冷阴极的热门材料,从而获得了国内外大量研究人员的重视和关注。水热法制备ZnO纳米......
真空微电子器件具有电子传输速率高、功耗低、发射电流密度大、无需加热等优点,场发射阴极作为真空微电子器件的核心部分,其性能的......
ZnO作为一种宽带隙半导体材料,具有优异的光电性能、高热稳定性、纳米结构丰富以及制备方法多样等特点,是一种优秀的场发射阴极材料......
氧化锌(ZnO)纳米材料具有禁带宽(3.37eV),光电性质良好,化学稳定性高,在高场强下,能带易弯曲等优点,被认为是最有前途的场发射阴极材料......
柔性技术和柔性电子发展空前,应用广泛。柔性冷阴极作为柔性电子器件的核心部件极具研究价值和应用基础。氧化锌纳米材料作为宽禁带......
SiC低维纳米材料是场发射阴极材料的优异候选者,其重要关键和基础之一是实现SiC纳米阵列的可控制备。近年来,有关SiC低维纳米材料......
近年来,因在光、电、磁及机械力学等领域具有极大的应用前景,宽带隙半导体SiC一维纳米材料已经引起了人们极大的兴趣,成为低维纳米材......
分别用物理气相沉积法和液相方法在钨丝基底上生长了氧化锌材料。用物理气相沉积法在没有催化剂的条件下在钨丝上得到了氧化锌纳米......
近年来,准一维纳米材料因其独特的电、光和机械特性而备受关注。氧化铜纳米材料更因其在场发射器件、气敏传感器、磁存储媒介和太阳......
场发射阴极作为真空微电子器件的核心部分,其性能的好坏直接影响真空微电子器件的整体性能。因此,寻找实用的场致发射阴极材料,优......
碳纳米管由于其优秀的场发射特性,被应用于场发射器件。其中场发射平面光源是受到关注的器件之一。本论文基于碳纳米管冷阴极开展4.......
作为性质研究与场发射应用的前提,碳纳米管制备技术受到广泛关注。然而受限于传统制备工艺,碳纳米管难以实现低成本及快速制备。 ......
简要回顾和总结了CN材料的研究进展,采用射频磁控溅射方法制备了非晶CN薄膜样品.研究了衬底偏压、衬底温度、N分压和入射功率等沉......
在不同实验条件下使用射频磁控溅射方法合成了非晶CN膜,并对其进行高温退火,使用Raman光谱、XPS光谱、FTIR光谱、AFM、CSR-01划痕......
GaN(Gallium nitride)基材料是指元素周期表中Ⅲ-A族Al、Ga、 In元素与Ⅴ-A族N元素形成的一类化合物,是直接带隙半导体材料,在室温下......
采用射频反应磁控溅射方法制备了氮化硼(BN)薄膜.沉积参数对六角氮化硼(h-BN)薄膜场发射有很大影响,归因于薄膜表面形貌的变化.对......
学位
AlN 薄膜具有很多优异的特性。由于其化学稳定性高、热传导率高、机械强度高、电绝缘性能佳、高能隙、热膨胀系数低,所以可用于大功......
本文主要研究了一维氧化锌纳米线的制备及其结构、光致发光和电子场发射特性。 作为宽带隙半导体材料,ZnO具有良好的化学稳定性......
GaN是一种直接宽带隙(禁带宽度是3.4eV)半导体材料,其具有化学和物理稳定性好,电子饱和漂移速率高,临界雪崩击穿电场强度大,介电常数小等......
本文首先运用标量波理论建立了谐振腔增强型的多层膜的GaAs同质结远红外探测器的量子效率的理论模型。通过这一模型,讨论了谐振与非......
在本文中,我们采用ZnCl2溶液和浓氨水(25%)为反应物,利用一种简单的水热法,制备了不同形貌的氧化锌(ZnO)纳米/微米结构。同时对部分ZnO......
新型准一维纳米材料具有优异的场发射特性,在场发射显示器(FED),微波器件和传感器等真空微电子器件中有重要的应用前景。本论文主要......
冷阴极在真空电子器件中有重要应用。寻找低阈值发射电场和高发射电流密度的场发射材料是制作冷阴极的技术关键。新型冷阴极电子发......
碳纳米材料因其众多的同素异形体结构以及独特的物理化学性质成为纳米科学最活跃的研究领域之一,在计算机技术、环保、能源、航空......
硅作为现代半导体行业最重要的材料,其纳米结构在微电子学、光电技术、能源转换和储存、生化传感器等方面有着广泛应用。硅纳米线作......
TiO2纳米棒具有较低的功函数(4.5eV)、锐的尖端、大的长径比、良好的电子传输通道等特征,是一种理想的一维场发射体。但由于制备适合......