SiC纳米阵列生长与控制及其场发射特性

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SiC低维纳米材料是场发射阴极材料的优异候选者,其重要关键和基础之一是实现SiC纳米阵列的可控制备。近年来,有关SiC低维纳米材料的研究进展迅速,然而在材料制备、性能研发上尚有大量基础性的研究工作急需系统研究。本论文以具有优异性能的场发射阴极材料研发为导向,拟采用SiC单晶基片辅助有机前驱体热解工艺,期望通过对SiC纳米阵列制备中两个关键工艺参数即基片和催化剂的探索和优化,实现SiC纳米阵列的可控制备,并系统表征和分析SiC纳米阵列的电子发射特性。本论文具体工作如下:以C纸为衬底
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